Antimoneto de índio
| Antimoneto de índio Alerta sobre risco à saúde | |
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| Nome IUPAC | Antimoneto de índio |
| Identificadores | |
| Número CAS | |
| PubChem | |
| ChemSpider | |
| Número RTECS | NL1105000 |
| SMILES |
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| Propriedades | |
| Fórmula molecular | InSb |
| Massa molar | 236,58 g/mol |
| Aparência | Cristais metálicos, cinza escuro |
| Densidade | 5,775 g·cm-3 |
| Ponto de fusão |
527 °C, |
| Gap de energia | 0.17 eV |
| Mobilidade | 7.7 mC s g-1 (27 °C) |
| Condutividade térmica | 180 mW K-1 cm-1 (27 °C) |
| Índice de refracção (nD) | 4.0 |
| Estrutura | |
| Estrutura cristalina | Zincblende |
| Grupo de espaço | T2d-F-43m |
| Geometria de coordenação |
Tetraedral |
| Riscos associados | |
| Classificação UE | Danoso (Xn), Danoso ao meio ambiente (N) |
| Frases R | R20/22, R51/53 |
| Frases S | S61 |
| Página de dados suplementares | |
| Estrutura e propriedades | n, εr, etc. |
| Dados termodinâmicos | Phase behaviour Solid, liquid, gas |
| Dados espectrais | UV, IV, RMN, EM |
| Exceto onde denotado, os dados referem-se a materiais sob condições normais de temperatura e pressão Referências e avisos gerais sobre esta caixa. Alerta sobre risco à saúde. | |
Antimoneto de índio (InSb) é um composto cristalino de índio (In) e antimônio (Sb). É um material semicondutor de pequeno GAP do grupo III-V empregado em detectores infravermelhos, como os utilizados em câmeras termográficas e na astronomia infravermelha, com sensibilidade entre 1–5 µm de comprimento de onda. Cristais de InSb têm sido crescidos por resfriamento lento do material liquefeito há quase sessenta anos.[1]
Propriedades físicas editar
InSb tem a aparência de pedaços ou particulados de metal cinza-escuro prateados com um brilho vitroso. Quando submetidos a temperaturas acima de 500 °C, ele derrete e se decompõe, liberando vapores de antimônio e óxido de antimônio.
InSb é um semicondutor de GAP pequeno com valores de 0.17 eV a 300 K e 0.23 eV a 80 K. A estrutura cristalina é tipo blenda de zinco com um parâmetro de rede de 0.648 nm.[2]
Detectores de fotodiodo de antimoneto de índio são de natureza fotovoltaica, gerando corrente elétrica quando submetidos a radiação infravermelha. Esses detectores necessitam de calibração periódica, o que resulta em maior complexidade nos sistemas de imagem em que são utilizados. Essa complexidade adicional é compensada quando uma maior sensibilidade é necessária, como em sistemas de imagens térmicas de longa distância. O resfriamento desses sistemas também é necessário pois eles necessitam de temperaturas criogênicas para operarem adequadamente (tipicamente 80 K).[3]
Aplicações editar
- Detectores térmicos por fotodiodos ou eletromagnetos;
- Sensores de campo magnético por magnetorresistência;
- Transístores mais rápidos.
Referências editar
- ↑ Avery, D G; Goodwin, D W; Lawson, W D; Moss, T S (1954). «Optical and Photo-Electrical Properties of Indium Antimonide». Proceedings of the Physical Society Section B. 67 (10). 761 páginas. doi:10.1088/0370-1301/67/10/304
- ↑ Properties of Indium Antimonide (InSb)
- ↑ M. G. Beckett "High Resolution Infrared Imaging", PhD thesis, Cambridge University (1995) Chapter 3: Camera