250 nanômetros

Fabricação
de dispositivos
semicondutores

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O processo de 250 nm refere-se ao nível de tecnologia do processo de fabricação de semicondutores MOSFET que foi comercializado por volta do período de 1996 a 1998.[1][2]

Um processo CMOS de 250 nm foi demonstrado por uma equipe de pesquisa japonesa da NEC em 1987.[3] Em 1988, uma equipe de pesquisa da IBM fabricou um MOSFET de porta dupla de 250 nm usando um processo CMOS.[4]

Referências

  1. Rai-Choudhury, P. (1997). Handbook of Microlithography, Micromachining, and Microfabrication: Microlithography (em inglês). [S.l.]: IET 
  2. Smith, Bruce W.; Suzuki, Kazuaki (1 de maio de 2020). Microlithography: Science and Technology (em inglês). [S.l.]: CRC Press 
  3. Kasai, N.; Endo, N.; Kitajima, H. (dezembro de 1987). «0.25 µm CMOS technology using P+polysilicon gate PMOSFET»: 367–370. doi:10.1109/IEDM.1987.191433. Consultado em 16 de dezembro de 2021 
  4. Oklobdzija, Vojin G. (19 de dezembro de 2017). Digital Design and Fabrication (em inglês). [S.l.]: CRC Press 


Precedido por:
350 nm
processos de fabricação CMOS Sucedido por:
180 nm