Magnetorresistência gigante: diferenças entre revisões

[[ImageImagem:GMR.svg|thumb|275px|right|Resultados encontrados por Fert ''et al.'']]

O efeito se manifesta como um decrescimento significativo da [[resistência elétrica]] sob a aplicação de um campo magnético externo. Quando o campo é nulo, as camadas ferromagnéticas adjacentes possuem uma magnetização anti-paralela visto que estão submetidas a um acoplamento ferromagnético deficiente entre as capas. Sob o efeito de um campo magnético externo, as magnetizações respectivas das camadas se alinham e a resistência do conjunto cai de forma brutal. Os [[spin]] dos [[elétron|elétrons]]s da substância magnética se alinham em igual número de maneira paralela e anti-paralela ao campo magnético aplicado, e, por tanto, sofrem uma mudança de difusão magnética em uma menor quantidade em relação as camadas ferromagnéticas que se magnetizam de forma paralela.

O efeito é utilizado comercialmente por fabricante de [[disco rígido|disco rígidos]]s. Outra aplicação do efeito são [[MRAM|memórias de acesso randômico magnético]] não voláteis (MRAM).