Dopagem eletrônica: diferenças entre revisões
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'''Dopagem eletrônica''' ou simplemente '''dopagem''', quando não houver possibilidade de confusão ou pelo uso no domínio específico ou restrito da eletrônica de semicondutores, é a adição de impurezas químicas elementares (usualmente [[índio]] ou [[fósforo]]) em [[elemento químico]] [[semicondutor]] puro (ou o [[germânio]] ou o [[silício]], notadamente este último, na era atual), com a finalidade de dotá-los de propriedades de '''semicondução controlada específica''' (''presença majoritária de portadores de carga ou tipo P, os [[Buraco (semicondutores)|buracos]] ou tipo N, os [[elétron]]s, respectivamente para as adições de índio e de fósforo''), para aplicação em dispositivos eletrônicos elementares de circuitos.
==História==
A dopagem de semicondutores foi desenvolvida originalmente por [[John Robert Woodyard]], a serviço da [[Sperry Gyroscope Company]], durante a [[Segunda Gerra Mundial]]. Seu deslocamento para a área de radares impediu Woodyard de prosseguir na pesquisa de dopagem de semicondutores. Entretanto, após o fim da guerra, sua patente objeto de extenso litígio com [[Sperry Rand]]. Um trabalho relacionado ao de Woodyard foi desenvolvido nos [[Laboratórios Bell]] por [[Gordon K. Teal]] e [[Morgan Sparks]].
==Semicondutor intrínseco==
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