Dopagem eletrônica: diferenças entre revisões

'''Dopagem eletrônica''' ou simplemente '''dopagem''', quando não houver possibilidade de confusão ou pelo uso no domínio específico ou restrito da eletrônica de semicondutores, é a adição de impurezas químicas elementares (usualmente [[índio]] ou [[fósforo]]) em [[elemento químico]] [[semicondutor]] puro (ou o [[germânio]] ou o [[silício]], notadamente este último, na era atual), com a finalidade de dotá-los de propriedades de '''semicondução controlada específica''' (''presença majoritária de portadores de carga ou tipo P, osas [[Buraco (semicondutores)|buracos]]lacunas, ou tipo N, os [[elétron]]s, respectivamente para as adições de índio e de fósforo''), para aplicação em dispositivos eletrônicos elementares de circuitos.