Diferenças entre edições de "Dopagem eletrônica"

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Como impurezas químicas elementares <u>aceitadoras</u> eletrônicas figuram [[boro]], [[alumínio]], [[gálio]], [[índio]] e [[tálio]], ''com uso mais frequente do [[índio]]'' (todos ''[[Valência|trivalentes]]''), permitindo, portanto, a constituição de cristais semicondutores controlados tipo P. Como impurezas químicas elementares <u>doadoras</u> eletrônicas comparecem [[fósforo]], [[arsênio]], [[antimônio]] e [[bismuto]], ''com uso mais frequente do [[fósforo]]'' (todos ''[[Valência|pentavalentes]]''), permitindo, assim, a constituição de cristais semicondutores controlados tipo N.
 
Cristais semicondutores dopados do tipo P apresentam lacunas como portadores majoritários de carga elétrica ([[elétron]]s sendo minoritários). Já o contrário ocorre com os cristais semicondutores dopados to tipo N, que apresentam [[elétron]]s como portadores majoritários de carga elétrica (sendo [[Buracoas (semicondutores)|buracos]]lacunas os minoritários). Isso faz toda a diferença de comportamento entre os dois tipos de cristais dopados e é precisamente do "casamento", conotativamente, de ambos os tipos em várias modalidades que nasce a [[Semicondutor|Eletrônica semicondutora]] em toda a sua pujança.
 
==Ver também==
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