Transistor de efeito de campo: diferenças entre revisões

{{Portal de eletrônica}}

'''FET''' é o acrônimo em inglês de ''Field Effect Transistor'', '''Transistor de Efeito de Campo''', que, como o próprio nome diz, funciona através do efeito de um campo elétrico na junção. Este tipo de transitor tem muitas aplicações na área de amplificadores (operando na area linear), em chaves (operando fora da area linear) ou em controle de corrente sobre uma carga.

 

* MOSFET tipo Intensificação;

* MOSFET tipo Depleção.

Os termos depleção e intensificação definem o seu modo básico de operação, enquanto o nome MOSFET designa o transistor Metal Óxido Semicondutor.

== História ==

Em [[1960]] [[John Atalla]] desenvolveu o MOSFET baseado nas teorias de [[William Shockley]] sobre o efeito de campo.<ref>[http://www.electro.patent-invent.com/electricity/inventions/fet.html Patentes]</ref>

== {{Links}} ==

== Referências ==

{{reflist}}

[[Categoria:Semicondutores]]

[[Categoria:Transistores]]

 

[[ar:مقحل حقلي]]

[[uk:Польовий транзистор]]

[[zh:场效应管]]