Diferenças entre edições de "Dopagem eletrônica"

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* Nota: Se procura por ''dopagem em nível de desambiguação'', consulte [[Dopagem]].
:: Se procura por ''dopagem bioquímica em humanos ou animais'', consulte [[Dopagem bioquímica]].
 
'''Dopagem eletrônica''' ou simplemente '''dopagem''', quando não houver possibilidade de confusão ou pelo uso no domínio específico ou restrito da eletrônica de semicondutores, é a adição de impurezas químicas elementares (usualmente [[índio]] ou [[fósforo]]) em [[elemento químico]] [[semicondutor]] puro (ou o [[germânio]] ou o [[silício]], notadamente este último, na era atual), com a finalidade de dotá-los de propriedades de '''semicondução controlada específica''' (''presença majoritária de portadores de carga ou tipo P, as lacunas, ou tipo N, os [[elétron]]s, respectivamente para as adições de índio e de fósforo''), para aplicação em dispositivos eletrônicos elementares de circuitos.
 
== História ==
A dopagem de semicondutores foi desenvolvida originalmente por [[John Robert Woodyard]], a serviço da [[Sperry Gyroscope Company]], durante a [[Segunda Guerra Mundial]].<ref>US Patent No.2,530,110, filed, 1944, granted 1950</ref> Seu deslocamento para a área de radares impediu Woodyard de prosseguir na pesquisa de dopagem de semicondutores. Entretanto, após o fim da guerra, sua patente foi objeto de extenso litígio com [[Sperry Rand]].<ref>{{ cite web | author=Morton, P. L. ''et al.'' | url=http://content.cdlib.org/xtf/view?docId=hb4d5nb20m&doc.view=frames&chunk.id=div00182&toc.depth=1&toc.id=&brand=oac | year=1985 | work=University of California: In Memoriam | title=John Robert Woodyard, Electrical Engineering: Berkeley | accessdate=2007-08-12 }}</ref> Um trabalho relacionado ao de Woodyard foi desenvolvido nos [[Laboratórios Bell]] por [[Gordon K. Teal]] e [[Morgan Sparks]].<ref>Sparks, Morgan and Teal, Gordon K. "Method of Making P-N Junctions in Semiconductor Materials," U. S. Patent 2,631,356 (Filed June 15, 1950. Issued March 17, 1953)</ref>
</ref> Um trabalho relacionado ao de Woodyard foi desenvolvido nos [[Laboratórios Bell]] por [[Gordon K. Teal]] e [[Morgan Sparks]].<ref>Sparks, Morgan and Teal, Gordon K. "Method of Making P-N Junctions in Semiconductor Materials," U. S. Patent 2,631,356 (Filed June 15, 1950. Issued March 17, 1953)</ref>
 
== Semicondutor intrínseco ==
 
== {{Ver também}} ==
* [[Junção PN]]
 
== {{Ligações externas}} ==
== Referências bibliográficas ==
* MELO, Hilton & INTRATOR, Edmond. '''''Dispositivos semicondutores'''''. [[Rio de Janeiro (cidade)|Rio de Janeiro]] ([[Rio de Janeiro|RJ]]), [[Brasil]]: Ao Livro Técnico S.A., 1972.
{{Reflist}}
<references/>
 
{{esboçoEsboço-materiais}}
 
{{Portal3|Química}}
 
{{DEFAULTSORT:Dopagem Eletronica}}
[[Categoria:Eletrônica]]
[[Categoria:Engenharia elétrica]]
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