Optoeletrônica: diferenças entre revisões
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A {{PBPE|optoeletrônica|optoeletrónica}} ([[Acordo Ortográfico de 1945|AO 1945]]: optoelectrónica) é o estudo e aplicação de aparelhos [[eletrônico]]s que fornecem, detectam e controlam [[luz]], normalmente considerada um sub-campo da [[fotônica]]. Nesse contexto, ''luz'' frequentemente inclui formas invisíveis de radiação como [[raios gama]], [[raios-X]], [[ultravioleta]] e [[infra-vermelho]], em adição à luz visível. Aparelhos optoeletrônicos são [[transdutor]]es elétrico para ótico ou ótico para elétrico, ou instrumentos que usam tais aparelhos em sua operação. ''[[Eletro-óptica]]'' é frequentemente usada incorretamente como sinônimo, mas é, de fato, um braço mais abrangente da [[física]] que lida com todas interações entre luz e [[campo elétrico|campos elétricos]], quer eles formem ou não parte de um aparelho eletrônico.
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* Efeito Lossev, ou [[emissão espontânea]], usada em:
** [[LED]]s (diodo emissor de luz)
==Pesquisas recentes==
Quase toda a [[microeletrônica]] atual é baseada no [[silício]]. Entretanto, este semicondutor apresenta propriedades ópticas muito pobres. O desenvolvimento de tecnologias de comunicação e computação baseadas na luz (fotônica) trouxe a necessidade de melhorar a interface entre a microeletrônica e dispositivos ópticos como as [[fibra óptica|fibras ópticas]] e os [[laser|lasers]]. Uma das principais fronteiras nessa área é a busca de novos materiais baseados no silício (combinações de silício com outros elementos).<ref name="Leong">Leong, D.; Harry, M.; Reeson, K. J.; e Homewood, K. P. (1997) [http://www.nature.com/nature/journal/v387/n6634/full/387686a0.html ''A silicon/iron-disilicide light-emitting diode operating at a wavelength of 1.5 μm.''] Nature '''387''', 686.</ref> Um dos mais promissores é o beta-dissiliceto de ferro (β-FeSi2)<ref name="Wetzig">Wetzig, Klaus; Schneider, Claus Michael (ed.). [http://books.google.com.br/books?id=0LgYYj3Q1pIC&printsec=frontcover#v=onepage&q&f=false ''Metal based thin films for electronics.''] Wiley-VCH, 2<sup>a</sup> edição, 2006, p. 64. ISBN 3-527-40650-6</ref>, por ter propriedades eletrônicas não muito distantes da do silício ([[gap de energia]] de cerca de 0,87 eV<ref name="Wetzig"/>, enquanto o do silício é de 1,11 eV<ref name="Streetman">{{cite book|last=Streetman|first=Ben G.|coauthors=Sanjay Banerjee|title=Solid State electronic Devices|edition=5th|year=2000|publisher=[[Prentice Hall]]|location=[[New Jersey]]|isbn=0-13-025538-6|page=524}}</ref>) e propriedades ópticas adequadas às necessidades da optoeletrônica atual (o β-FeSi2 emite luz com [[comprimento de onda]] de cerca de 1,5 μm, adequado para a transmissão por fibras ópticas<ref name="Leong"/>).
{{referências}}
==Veja também==
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