Diferenças entre edições de "Dopagem eletrônica"

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== História ==
A dopagem de semicondutores foi desenvolvida originalmente por [[John Robert Woodyard]], a serviço da [[Sperry Gyroscope Company]], durante a [[Segunda Guerra Mundial]].<ref>US Patent No.2,530,110, filed, 1944, granted 1950</ref> Seu deslocamento para a área de radares impediu Woodyard de prosseguir na pesquisa de dopagem de semicondutores. Entretanto, após o fim da guerra, sua patente foi objeto de extenso litígio com [[Sperry Rand]].<ref>{{cite web | author=Morton, P. L. ''et al.'' | url=http://content.cdlib.org/xtf/view?docId=hb4d5nb20m&doc.view=frames&chunk.id=div00182&toc.depth=1&toc.id=&brand=oac | year=1985 | work=University of California: In Memoriam | title=John Robert Woodyard, Electrical Engineering: Berkeley | accessdate=2007-08-12 }}</ref> Um trabalho relacionado ao de Woodyard foi desenvolvido nos [[Laboratórios Bell]] por [[Gordon K. Teal]] e [[Morgan Sparks]].<ref>Sparks, Morgan and Teal, Gordon K. "Method of Making P-N Junctions in Semiconductor Materials," U. S. Patent 2,631,356 (Filed June 15, 1950. Issued March 17, 1953)</ref>
o bagulho ehh loko
 
== Semicondutor intrínseco ==
Utilizador anónimo