Dispositivo semicondutor: diferenças entre revisões

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{{Em tradução|data=Março de 2011}}
 
'''Dispositivo semicondutor''' é um [[componente eletrônico]] que explora as propriedades [[eletrônica]]s de materiais [[semicondutor]]es, principalmente [[silício]], [[germânio]], e [[arseneto de gálio]], assim como [[semicondutor orgânico|semicondutores orgânicos]]. Dispositivos semicondutores tem substituído [[tubo de vácuo|dispisitivos termiônicos]] (tubos de vácuo) na maioria das aplicações. Eles usam [[condução elétrica|condução]] no [[estado sólido (eletrônica)|estado sólido]] em oposição ao [[estado gasoso]] ou [[emissão termiônica]] no alto vácuo.
 
Dispositivos semicondutores são manufaturados tanto em dispositivos únicos disccretos como em ''[[Circuito integrado|circuitos integrados]]'' (CIs), os quais consistem de um número variando de uns poucos (tão baixo quanto dois) a bilhões de dispositivos fabricados e interconectados sobre um substrato semicondutor único.
 
A principal razão porque materiais semicondutores são tão úteis é que o comportamento de um semicondutor pode ser facilmente manipulado pela adição de impurezas, o que é conhecido como "dopagem (a adição de um "[[Dopante (química)|dopante]]"). A [[condutividade elétrica|condutividade]] de semicondutores pode ser controlada pela introdução de um campo elétrico, pela exposição à [[luz]], e também pressão e calor; então, semicondutores podem produzir excelentes sensores. A condução de corrente em um semicondutor ocorre via [[elétron]]s móveis ou "livres" e ''[[Electrão-buraco|buracos electrónicos]]'', coletivamente conhecidos como ''[[Portador de carga|portadores de carga]]''. <!-- Doping a semiconductor such as [[silicon]] with a small amount of impurity atoms, such as [[phosphorus]] or [[boron]], greatly increases the number of free electrons or holes within the semiconductor. When a doped semiconductor contains excess holes it is called "[[P-type semiconductor|p-type]]", and when it contains excess free electrons it is known as "[[N-type semiconductor|n-type]]", where ''p'' (positive for [[electron hole|holes]]) or ''n'' (negative for [[electron]]s) is the sign of the charge of the majority mobile charge carriers. The semiconductor material used in devices is doped under highly controlled conditions in a fabrication facility, or ''[[Fab (semiconductors)|fab]]'', to precisely control the location and concentration of p- and n-type dopants. The junctions which form where n-type and p-type semiconductors join together are called [[p-n junction]]s.
 
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{{em tradução|:en:Semiconductor device}}
 
==Referências==
 
[[Categoria:Semicondutores]]
[[Categoria:Componentes elétricos]]
 
[[ar:نبيطة]]
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