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Linha 32: Ao se estabelecer estas correntes aparecem cargas fixas em uma zona em ambos os lados da junção, zona que recebe diferentes denominações como ''barreira interna de potencial'', ''zona de carga espacial'', ''de esgotamento ou empobrecimento'', ''de esvaziamento'', etc. À medida que progride o processo de difusão, a zona de carga espacial vai aumentando sua largura aprofundando-se nos cristais em ambos os lados da junção. A acumulação de íons positivos na zona NP e de íons negativos na zona PN, cria um campo elétrico (E) que atuará sobre os elétrons livres da zona N com uma determinada ''força de deslocamento'', que se oporá à corrente de elétrons e terminará por detê-los. A criação de ions positivos na zona NP (e negativos na zona PN) deve-se que as impurezas NP são pentavalentes, logo ao cederem o seu electron, há mais protons que electrons criando assim um íon positivo, da mesma maneira que a impureza PN trivalente, ao ganhar um electron fica carregada negativamente pois fica com excesso de electrons relativamente aos protons. Este campo elétrico é equivalente a dizer que aparece uma diferença de tensão entre as zonas P e N. Esta [[diferença de potencial de contato]] (V<sub>0</sub>) é de 0,7 [[Volt\|V]] no caso do [[silício]] e 0,3 V se os cristais são de [[germânio]].

Junção PN: diferenças entre revisões