Wafers são formados de alta pureza(99,9999%) desão formados pureza), quase sem defeitos único [[cristal]]inainos do material. Um processo para a formação de biscoito cristalino é conhecido como crescimento Czochralski inventado pelo químico polonês Jan Czochralski . Neste processo, um cilíndrico de lingotescilíndro de alta pureza de silício monocristalino é formado porpuxando-se puxaruma umsemente de cristal de sementesilício fundido sob uma atmosfera de umgás "inerte, derretimentogeralmente "argônio. Átomos de impureza dopante, como o boro ou o fósforo podepodem ser adicionadoadicionados à intrínsecaao [[silício]] fundido em quantidades precisas a fim de dope o silíciodopá-lo, alterando aseu tipo (positivo ou tiponegativo) paraconforme silícioa necessidade, na maioria das vezes é dopado extrínsecopositivamente.
O lingote é então cortadacortado com uma [[lâmina]] de serra (ou fio dade serra ) e polido para formar placaswaffers. O tamanho de bolachas da energia fotovoltaica é 1-200 mm, ea espessura é de 200 - 300 mm,. No futuro, a 160 mM será o [[padrão]]. [[Eletrônico]]s tamanhos de wafer uso de 100 - 300 mm de [[diâmetro]]. (A maior wafer feito tem um diâmetro de 450 [[milímetro]]s, mas não está ainda em produção)
