Um '''semicondutor tipo-P''' é obtido através do processo de dopagem, adicionando-se um certo tipo de composto, normalmente trivalente, isto é, com 3 elétrons na camada de valência, ao semicondutor para aumentar o número de portadores de carga livres (neste caso positivas, ''lacunas''). O [[boro]] é um elemento que pode ser usado na dopagem do silício, formando um semicondutor tipo-P.<ref name="razavi-preview" />{{rp|p.26}}
O propósito da dopagem tipo-P é criar abundância de lacunas. No caso do silício, uma impureza trivalente deixa uma ligação covalente incompleta, fazendo que, por [[difusão]], um dos átomos vizinhos ceda-lhe um eletrãoelétron completando assim as suas quatro ligações. Assim os dopantes criam as ''lacunas''. Cada lacuna está associada com um íon próximo carregado negativamente, portanto o semicondutor mantém-se eletricamente neutro. Entretanto quando cada lacuna se move pela rede, um protãopróton do átomo situado na posição da lacuna se vê "exposto" e logo se vê equilibrado por um eletrãoelétron. Por esta razão uma lacuna comporta-se como uma carga positiva. Quando um número suficiente de aceitadores de carga são adicionados, as lacunas superam amplamente a excitação térmica dos elétrons. Assim, as lacunas são os portadores majoritários, enquanto os eletronselétrons são os portadores minoritários nos materiais tipo P. Os diamantes azuis (tipo IIb), que contém impurezas de [[boro]] (B), são um exemplo de semicondutor tipo P que se produz de maneira natural.
