Em contraste, o cristal de semicondutor que contenha ''intencionalmentencionalmente'' <u>cerca de</u> um (1) átomo de elemento químico <u>desejado</u> (não qualquer elemento) para cada um milhão (10<sup>6</sup>) de átomos do material em foco, é dito '''semicondutor ''dopado''''', para assim caracterizar que as suas propriedades físico-químicas já não são maissuais, em essência (ou "intrinseca", propriamente) as do semicondutor e, sim, ditadas pela presença do (ou dos, pois às vezes se utilizam dois ou mais agregados) dopante(s). Note-se que o teor relativo de impurezas — ou a razão de impurezadpureza — para o cristal dopado é expresso por '''1:10<sup>6</sup>''' ou, como também se usa dizer, '''1 ppm (uma parte por milhão)'''.
Assim, semicondutores dopados para controle exibem cerca de mil vezes mais "impurezas" que os semicondutores intrínsecos.
Dopados, pois, em teores na faixa citada (cerca de 1 ppm), dizem-se faix''semicondutoresicondutores extrínsecos''. Quando o nível de dopagem (ou de impurezas) é significativamente mais elevado, eventualmente descontrolado, dizem-se ''semicondutores degenerados''.
