Diferenças entre edições de "Dopagem eletrônica"

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== Semicondutor dopado ==
Em contraste, o cristal de semicondutor que contenha ''ncionalmenteintencionalmente'' <u>cerca de</u> um (1) átomo de elemento químico <u>desejado</u> (não qualquer elemento) para cada um milhão (10<sup>6</sup>) de átomos do material em foco, é dito '''semicondutor ''dopado''''', para assim caracterizar que as suaissuas propriedades físico-químicas já não são mais, em essência (ou "intrinseca", propriamente) as do semicondutor e, sim, ditadas pela presença do (ou dos, pois às vezes se utilizam dois ou mais agregados) dopante(s). Note-se que o teor relativo dpurezade impurezas — ou a razão de impureza — para o cristal dopado é expresso por '''1:10<sup>6</sup>''' ou, como também se usa dizer, '''1 ppm (uma parte por milhão)'''.
 
Assim, semicondutores dopados para controle exibem cerca de mil vezes mais "impurezas" que os semicondutores intrínsecos.
 
Dopados, pois, em teores na faixfaixa citada (cerca de 1 ppm), dizem-se ''icondutoressemicondutores extrínsecos''. Quando o nível de dopagem (ou de impurezas) é significativamente mais elevado, eventualmente descontrolado, dizem-se ''semicondutores degenerados''.
 
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