Buraco (semicondutores): diferenças entre revisões

==Portadores de carga==

Assim, há diferença enorme entre materiais como o alumínio ou o cobre (usualmente empregados como condutores de eletricidade) e materiais como o germânio e o silício (usualmente empregados como semicondutores na moderna eletrônica). Naqueles (alumínio e cobre), existem apenas elétrons como portadores de carga elétrica transferíveis sob a influência de um campo elétrico aplicado (ou, por falar, nisso, de uma diferença de potencial elétrico associado). Nestes últimos (germânio e silício, todos ''tetravalentes''), existem tanto elétrons como buracos como portadores de carga elétrica transferíveis sob influência do campo elétrico. Isso ganha maior relevância quando se tratam os materiais semicondutores com impurezas químicas ou aceitadoras eletrônicas (boro, alumínio, gálio ou índio, todos ''trivalentes'') ou doadoras eletrônicas (fósforo, arsênio ou antimônio, todos ''pentavalentes'') em pequenos teores, no processo denominado [[dopagem eletrônica]] ou simplesmente, no meio próprio, [[dopagem eletrônica|dopagem]]. O fato extraordinário ocorre quando cristais dopados com um tipo de impureza (aceitadora), cristais tipo P (com os buracos desempenhando o papel dos ''portadores majoritários'') são unidos (por um processo físico-químico especial) a cristais com impureza do outro tipo (doadora), cristais tipo N (com os elétrons desempenhando o papel dos ''portadores majoritários''). Está formada uma junção PN, em essência — e por simplicidade — a gênese de toda a eletrônica moderna, desde os primeiros [[diodo]]s [[semicondutor]]es, passando pelos [[transistor]]es, enfim, fazendo surgirem os mini-circuitos controlados e controláveis (os [[Circuito integrado|circuitos integrados]] ou ''[[chip]]s''), gerando, pois, toda a complexa rede de aparelhos, equipamentos e utilidades modernas (computadores pessoais, sistemas, telefonia móvel etc.).

 

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{{esboço-materiais}}

[[Categoria:Ciência dos materiais]]

[[Categoria:Semicondutores]]