Transistor de efeito de campo: diferenças entre revisões
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Pequenas correções ortográficas:
Em "Composição":
- "germãnio" foi substituído por "germânio"
Em "Polarização":
Um espaço faltava entre "polarização," e "sendo", na segunda linha:
"...polarização,sendo..." -> "...polarização... |
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Linha 4:
Os FETs têm como principal característica uma elevada [[impedância]] de entrada o que permite seu uso como adaptador de impedâncias podendo substituir [[transformadores]] em determinadas situações,além disso são usados para amplificar [[frequências]] altas com ganho superior ao dos [[transistores]] bipolares.
== Composição ==
Os FETs podem ser compostos por germânio ou sílicio combinados à pequenas quantidades de fósforo e boro, que são substâncias ´´dopantes`` (isto é, que alteram as características elétricas).Os transistores de sílicio são os mais utilizados atualmente, sendo que transistores de
== Polarização ==
Um FET para uso geral apresenta três terminais: porta (gate), fonte (source) e dreno (drain),que permitem seis formas de polarização, sendo três as mais usadas: fonte comum (fonte ligado à entrada e saída simultaneamente), porta comum (porta ligada à entrada e saida simultaneamente) e dreno comum (dreno ligado à entrada e saida simultaneamente).
== Categorias ==
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