Dynamic random access memory: diferenças entre revisões
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Fiz uma parte da Historia da DRAM |
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Embora esse fenômeno da perda de carga não ocorra nas memórias RAM estáticas ([[SRAM]]), as DRAM possuem a vantagem de terem custo muito menor e densidade de bits muito maior, possibilitando em um mesmo espaço armazenar muito mais [[bits]] (o que em parte explica o menor custo) e a sua simplicidade estrutural com apenas um [[transistor]] e um [[capacitor]] necessários para cada bit (ao contrário dos 4 transistores da SRAM).<ref name="Borucki1">Borucki, "Comparison of Accelerated DRAM Soft Error Rates Measured at Component and System Level", 46th Annual International Reliability Physics Symposium, Phoenix, 2008, pp. 482–487</ref>
A vantagem da DRAM tem como forte a sua simplicidade estrutural por ser possível construir um elemento bi estável com apenas um transistor, que permite células de memória com um único transistor. Apenas precisando de um condensador e um transistor por bit permitindo que a DRAM atinja valores muito elevados. Os transistores e capacitores são tão pequenos que podem ter bilhões dentro de um mesmo chip de memória.<ref name="PARHAMI, Behrooz.">PARHAMI, Behrooz. Arquitetura de computadores: de microprocessadores a supercomputadores. São Paulo: McGraw Hill, 2007. xvi, 321 p.</ref>
== Historia ==
Durante a segunda Guerra Mundial em bletchley park aonde se encontrava a “Ultra inteligência” do reino unido, foi usada uma máquina chamada cryptanalytic cujo o codinome era “Aquarius” foi incorporada uma memória dinamica hard-wired. Foi usado um grande banco de capacitores, que quando carregado representa cruz (1) e um ponto (0) se descarregado. Tendo o uso do pulso periódico para que recarregar-se os capacitores quando havia o vazamento da carga.<ref name="Copeland B. Jack">Copeland B. Jack, and others (2006) Colossus: The Secrets of Bletchley Park's Codebreaking Computers Oxford: Oxford University Press, p301.</ref>
Arnold Farber e Eugene Schlig em 1964, enquanto trabalhavam para IBM criaram uma célula de memória hard-wired, usando uma porta do transistor e diodo túnel trinco, substituíram a trava por dois transistores e duas resistências que ficou conhecido como céluala-farber schilig. No ano de 1965 Benjamin Agusta juntamente com sua equipe da IBM projetaram e criaram um chip de memória de silício de 16 bits tendo como base a configuração de célula-Farber Schlig com 80 transistores, 64 resistores e quatro diodos. No ano
seguinte em 1966 a primeira DRAM foi inventada pelo Dr Robert Dennard no IBM Thomas J. Watson Research Center que foi-lhe concebido patente dos EUA numero 3.387.286 em 1968.<ref name="Spec Sheet for Toshiba">Spec Sheet for Toshiba "TOSCAL" BC-1411 </ref>{{referências}}
{{DRAM}}
{{IBM}}
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