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Linha 4: '''EEPROM''' (também escrita '''E<sup>2</sup>PROM,''' e pronunciada "e-e-prom"), '''<nowiki/>'''sigla de '''''E'''lectrically-'''E'''rasable '''P'''rogrammable '''R'''ead-'''O'''nly '''M'''emory'', é um tipo de [[Armazenamento não volátil\|<u>memória não-volátil</u>]] usada em computadores e outros dispositivos eletrônicos para armazenar pequenas quantidades de dados que precisam ser salvos quando a energia é removida, por exemplo, dados de configuração do dispositivo. Ao contrário da maioria dos outros tipos de memória não-volátil, bytes individuais em uma EEPROM tradicional pode ser lidos, apagados e re-escrita de forma independente. Ao contrário de uma memória programável apagável somente de leitura ([[EPROM]]), uma EEPROM pode ser programada e apagada várias vezes, eletricamente. Pode ser lida um número ilimitado de vezes, mas só pode ser apagada e programada um número limitado de vezes, que variam entre as 100.000 e 1 milhão. Esse limite é causado pela contínua deterioração interna do ''chip'' durante o processo de apagamento que requer uma tensão elétrica mais elevada. Como cada novo dado gravado no ''chip'' requer o apagamento do anterior, considera-se apagamento e gravação como uma só operação, porém seria possível gravar o mesmo endereço de memória um bit de cada vez, fazendo então oito gravações com um só prévio apagamento. Entretanto a maioria das memórias EEPROM faz o apagamento do conteúdo do endereço automaticamente antes da gravação. A [[memória flash]] é uma variação moderna da EEPROM, mas existe na indústria uma convenção para reservar o termo EEPROM para as memórias de escrita bit a bit, não incluindo as memórias de escrita bloco a bloco, como as memórias flash. As EEPROM necessitam de maior área que as memórias flash, porque cada célula geralmente necessita de um [[transistor]] de leitura e outro de escrita, ao passo que as células da memória flash só necessitam de um. A [[memória flash]] é uma variação moderna da EEPROM, mas existe na indústria uma convenção para reservar o termo EEPROM para as memórias de escrita bit a bit, não incluindo as memórias de escrita bloco a bloco, como as memórias flash. As EEPROM necessitam de maior área que as memórias flash, pois como são organizadas como matrizes de transistores de porta flutuante, cada célula geralmente necessita de um [[transistor]] de leitura e outro de escrita, ao passo que as células da memória flash só necessitam de um. Quando grandes quantidades de dados estáticos devem ser armazenados (por exemplo, em unidades flash USB) a memória flash é mais econômico do que os dispositivos tradicionais de EEPROM. Enquanto uma [[EPROM]] é programada por um dispositivo eletrônico que dá voltagens maiores do que os usados normalmente em circuitos elétricos e pode ser apagada apenas por exposição a uma forte luz [[ultravioleta]], a EEPROM pode ser programada e apagada dentro do próprio circuito, eletricamente, pela aplicação de sinais de programação especiais. Originalmente, EEPROMs foram limitados a operações de byte único que os fizeram mais lento, mas EEPROMs modernos permitem operações com múltiplos bytes. Embora uma EEPROM possa ser lida, um número praticamente ilimitado de vezes, ela possui uma vida útil limitada - isto é, o número de vezes que pode ser reprogramada (apagada e programada novamente) foi limitado a dezenas ou centenas de milhares de vezes, devido a contínua deterioração interna do ''chip'' durante o processo de exclusão que requer uma tensão elétrica mais elevada. Essa limitação foi estendido para um milhão de operações de gravação em EEPROM modernos. Entretanto essa vida útil da EEPROM, se torna uma importante consideração a ser feita, quando seu uso em um computador, por exemplo, tenha uma previsão de frequentes reprogramações. É por esta razão que EEPROMs foram utilizados para informações de configuração, ao invés de memória de acesso aleatório. Como cada novo dado gravado no ''chip'' requer o apagamento do anterior, considera-se apagamento e gravação como uma só operação, porém seria possível gravar o mesmo endereço de memória um bit de cada vez, fazendo então oito gravações com um só prévio apagamento. Entretanto a maioria das memórias EEPROM faz o apagamento do conteúdo do endereço automaticamente antes da gravação. Tecnologias mais novas como [[FRAM]] e [[MRAM]] estão aos poucos substituindo as EEPROMs em algumas aplicações.

EEPROM: diferenças entre revisões