EEPROM: diferenças entre revisões

[[Eli Harari]] na [[Hughes Aircraft]], inventou a EEPROM em 1977 utilizando, o '''tunelamento de [[Ralph Howard Fowler|Fowler]]-[[Lothar Nordheim|Nordheim]],''' esse processo utiliza de uma tensão elétrica, geralmente entre 10 2 13 volts, aplicados à porta flutuante, para mudar o valor da célula para "0", corrente essa que vem da coluna, ou '''bitline''' (linha de bits), entra na porta flutuante e é drenada para a fonte. E com uma tensão mais alta é possível fazer com que os elétrons nas células do chip de mémoria se tornem "1". <ref>http://www.freepatentsonline.com/4115914.pdf</ref><ref>http://archive.computerhistory.org/resources/access/text/2012/03/102745933-05-01-acc.pdf</ref>A ''Hughes'' passou a produzir os primeiros dispositivos EEPROM. Em 1978, George Perlegos na Intel desenvolveu o Intel 2816, que foi construído anteriormente com a tecnologia EPROM, mas passou a utilizar uma camada de óxido de porta flutuante permitindo que o chip pudesse apagar seus próprios dados sem uma fonte de UV. Perlegos e outros desenvolvedores, deixaram a Intel para formar Seeq Tecnologia, que utilizou novos dispositivos de carga para abastecer as altas voltagens necessárias para a programação de EEPROMs.{{esboço-eletrônica}}