EEPROM: diferenças entre revisões
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As EPROMs não pode ser apagadas eletricamente, e são programados através de uma aplicação [[:en:Hot_carrier_injection|HCI]] na porta flutuante, e a exclusão é através de uma fonte de luz ultravioleta, embora na prática, muitas EPROM são encapsuladas em plástico que é opaco a luz UV, tornando-os "programável apenas uma vez ". Já a memória Flash é um estilo de programação híbrida e a exclusão,embora mais abrangente, se baseia na exclusão da EEPROM.
{| class="wikitable" style="text-align:center; font-size:90%"
|- class="hintergrundfarbe6"
! Type
! Inject electrons onto gate<br>(mostly interpreted as Bit=0)
! Duration
! Remove electrons from gate<br>(mostly interpreted as Bit=1)
! Duration/Mode
|-
| EEPROM || field electron emission || 0,1...5 ms, bytewise || field electron emission || 0,1...5 ms, blockwise
|-
| NOR Flash memory || hot carrier injection || 0,01...1 ms || field electron emission || 0,01...1 ms, blockwise
|-
| EPROM || hot carrier injection || 3...50 ms, bytewise || UV light || 5...30 minutes, whole chip
|-
|}
== Referências ==
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