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A grande vantagem dos transistores em relação às válvulas foi demonstrada em 1958, quando Jack Kilby, da Texas Instruments, desenvolveu o primeiro circuito integrado, consistindo de um transistor, três [[resistor]]es e um [[capacitor]], implementando um [[oscilador]] simples. A partir daí, via-se a possibilidade de criação de circuitos mais complexos, utilizando integração de componentes. Isto marcou uma transição na história dos transistores, que deixaram de ser vistos como substitutos das válvulas e passaram a ser encarados como dispositivos que possibilitam a criação de circuitos complexos, integrados.
Em 1960, devido a sua estrutura mais simples, o [[MOS]] passou a ser encarado como um dispositivo viável para circuitos digitais integrados. Nessa época, havia muitos problemas com estados de impurezas, o que manteve o uso do [[MOS]] restrito até o fim da década de 60. Entre 1964 e 1969, identificou-se o [[Sódio]] ([[Na]]) como o principal causador dos problemas de estado de superfície e começaram a surgir soluções para tais problemas.
No início da tecnologia MOS, os transistores PMOS foram mais utilizados, apesar de o conceito de Complementary MOS (CMOS) já ter sido introduzido por [[Weimer]]. O problema ainda era a dificuldade de eliminação de estados de superfície nos transistores [[NMOS]].
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