Diodo semicondutor: diferenças entre revisões

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A dopagem no diodo<ref name="INFOESC">{{citar web|url=http://www.infoescola.com/quimica/dopagem-eletronica/|título=Dopagem Eletrônica|autor=Pereira, Lilian Souza|data=17 de fevereiro de 2010|publicado=Infoeducação|acessodata=13 de janeiro de 2012}}</ref> é feita pela introdução de elementos dentro de cristais tetravalentes, normalmente feitos de silício e germânio. Dopando esses cristais com elementos trivalentes, obtêm-se átomos com sete elétrons na [[camada de valência]], que necessitam de mais um elétron para a neutralização (cristal P). Para a formação do cristal P, utiliza-se principalmente o elemento [[Índio (elemento químico)|índio]]. Dopando os cristais tetravalentes com elementos pentavalentes, obtêm-se [[átomos]] neutralizados (com oito elétrons na [[camada de valência]]) e um [[elétron]] excedente (cristal N).
 
Para a formação do cristal N, utiliza-se principalmente o elemento [[Fósforo]]. Quanto maior a intensidade da dopagem, maior a [[Condutividade elétrica|condutibilidade]] dos cristais, pois suas estruturas apresentam um número maior de portadores livres (lacunas e [[elétrons livres]]) chupa professor tiago e poucas [[impureza]]s que impedem a condução da [[corrente elétrica]]. Outro fator que influencia na condução desses materiais é a [[temperatura]]. Quanto maior é a temperatura de um diodo, maior a condutibilidade, pelo fato de que a [[energia térmica]] ter a capacidade de quebrar algumas [[Ligação covalente|ligações covalentes]] da estrutura, acarretando no aparecimento de mais portadores livres para a condução de corrente elétrica.
 
Após dopadas, cada face dos dois tipos de cristais (P e N) tem uma determinada característica diferente da oposta, gerando regiões de condução do cristal, uma com excesso de elétrons, outra com falta destes (lacunas). Entre ambas, há uma região de [[equilíbrio]] por recombinação de [[carga elétrica|cargas]] positivas e negativas, chamada de região de ''depleção'' (a qual possui uma barreira de potencial).