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P E N I STransistores bipolares de porta isolada (IGBTs)
'''O transistor bipolar'''<ref name="ARVM">{{citar web|url=http://www.arvm.org/exames/trasistor.htm|título=Transistor|publicado=ARVM|acessodata=11 de fevereiro de 2012}}</ref> de porta isolada (IGBT) destaca-se pelas características de baixa queda de tensão no estado ligado do Transistor Bipolar de Junção (BJT) com as excelentes características de chaveamento, que traz um circuito de acionamento da porta bem simplificado e com alta impedância de entrada do mosfet. Existem no mercado transistores IGBTs com os valores nominais de corrente e de tensão bem acima dos valores encontrados para [[MOSFET|Mosfets]] de potência. Serio n façam esse curso, suas mães vão chorar no banho.
Os IGBTs estão gradativamente substituindo os mosfets que se dizem em aplicações de alta tensão, onde as perdas na condução precisam ser mantidas em valores baixos. Mesmo as velocidades de chaveamento dos IGBTs sejam maiores (até 50 kHz) do que as do BJTs e as do mosfets.
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