Deposição química em fase vapor: diferenças entre revisões
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A taxa de deposição depende das reações de superfície que são a etapa mais lenta do processo. A estrutura e características do filme formado é resultado dessa taxa de crescimento do filme.
Existem muitos tipos de precursores e de reações químicas de CVD. Os precursores são compostos que contém o elemento ou molécula que será a base de construção do filme. A escolha do precursor é direcionada por propriedades que este composto necessita ter e pelo tipo de ração de CVD.
Seguem algumas propriedades necessárias para os precursores:
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Podemos observar que com o uso das técnicas de CVD é possível construir matérias estruturados em escalas nanométricas com estrutura uniforme e alto grau de pureza. Com o desenvolvimento da técnica vislumbra-se um horizonte muito promissor, além do que temos observado para indústria de materiais semicondutores, essa técnica pode contribuir para o desenvolvimento de matérias nanoestruturados de aplicação tecnológica em outros campos das indústrias de bens de consumo.
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PIERSON, H.O., Handbook of Chemical Vapor Deposition (CVD) - Principles, Technology and and Applications 2° Ed, 1999, William Andrew Publishing/Noyes
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JONES A.C., HITCHMAN, M.L. Chemical Vapour Deposition: Precursors, Process and Applications - Capitulo 1 (pg 1-36), 2009, Royal Society of chemistry
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* [[Nanocatálise]]
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