Transistor de efeito de campo: diferenças entre revisões
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[[Ficheiro:P45N02LD.jpg|thumb|FET de alta-potência canal-N]]▼
'''FET''' é o acrônimo em inglês de ''Field Effect Transistor'', '''Transistor de Efeito de Campo''', que, como o próprio nome diz, funciona através do efeito de um campo elétrico na junção. Este tipo de transistor tem muitas aplicações na área de amplificadores (operando na área linear), em chaves (operando fora da área linear) ou em controle de corrente sobre uma carga. ▼
{{Info/Componente eletrônico
| componente = Transistor de Efeito de Campo
| imagem = Nedap ESD1 - power supply board 2 - International Rectifier IRLZ24N-91538.jpg
| imagem-tamanho = 140px
| legenda = [[MOSFET]] de potência.
| tipo =
| princípio =
| inventor = [[Julius Edgar Lilienfeld]] <br />[[John Atalla]]
| ano =
| função =
| símbolo = [[Imagem:JFET-Transistor Symbole.svg|170px]] <br /><center>[[JFET]]'s tipos N-P.</center> <br /><br />[[Imagem:Mosfets.svg|170px]] <br /><center>MOSFET's tipos N-P.</center>
}}
▲'''FET''' é o acrônimo em inglês de ''Field Effect Transistor'', '''Transistor de Efeito de Campo''', que, como o próprio nome diz, funciona através do efeito de um campo elétrico na junção. Este tipo de transistor tem muitas aplicações na área de
Os FETs têm como principal característica uma elevada [[impedância]] de entrada o que permite seu uso como adaptador de impedâncias podendo substituir [[transformadores]] em determinadas situações,além disso são usados para amplificar [[frequências]] altas com ganho superior ao dos [[transistores]] bipolares.
== Composição ==
Os FETs podem ser compostos por germânio ou silício combinados à pequenas quantidades de fósforo e boro, que são substâncias ´´dopantes`` (isto é, que alteram as características elétricas).Os transistores de silício são os mais utilizados atualmente, sendo que transistores de germânio são usados somente para o controle de grandes potências.▼
[[Ficheiro:Lateral mosfet.svg|thumbnail|195px|esquerda|Corte em seção de um MOSFET tipo-n]]▼
▲Os FETs podem ser compostos por [[germânio]] ou [[silício]] combinados à pequenas quantidades de [[fósforo]] e [[boro]], que são substâncias
== Polarização ==
Um FET para uso geral apresenta três terminais: porta (gate), fonte (source) e dreno (drain), que permitem seis formas de polarização, sendo três as mais usadas: fonte comum (fonte ligado à entrada e saída simultaneamente), porta comum (porta ligada à entrada e saida simultaneamente) e dreno comum (dreno ligado à entrada e saida simultaneamente).
== Categorias ==
O FET pode ser dividido em duas categorias: JFETS e [[MOSFET|MOSFETS]]. Por sua vez, os MOSFETS se dividem em duas categorias:▼
▲[[Ficheiro:P45N02LD.jpg|thumb|FET de alta-potência canal-N]]
▲O FET pode ser dividido em duas categorias:
* MOSFET tipo Intensificação;
* MOSFET tipo Depleção.
▲[[Ficheiro:Lateral mosfet.svg|thumbnail|195px|Corte em seção de um MOSFET tipo-n]]
Os termos depleção e intensificação definem o seu modo básico de operação, enquanto o nome MOSFET designa o transistor Metal Óxido Semicondutor.
== História ==
Os FETs foram inventados por [[Julius Edgar Lilienfeld]] em [[1926]] e por [[Oskar Heil]] em [[1934]].<br />
Em [[1960]] [[John Atalla]] desenvolveu o MOSFET baseado nas teorias de [[William Shockley]] sobre o efeito de campo.<ref>[http://www.electro.patent-invent.com/electricity/inventions/fet.html Patentes]</ref>
== Ligações externas ==
*[https://www.minor-audio.com/data/data_fet.html FET transistor datasheets]
* [http://www.gta.ufrj.br/grad/01_1/igtb/Pagina_IGBT.htm O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)]
== Referências ==
{{reflist}}
{{Portal3|Eletrônica}}
{{esboço-eletrônica}}
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