Junção PN: diferenças entre revisões
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Existem vários processos que garantem a continuidade cristalina entre os lados P e N de uma junção. Os principais são:<ref name="Poliakov" />
*Processo de liga: neste método um [[metal]] [[Valência (química)|trivalente]] como o [[índio]] é colocado sobre uma pastilha de semicondutor ([[germânio]]) do tipo N e aquecido até 600 °C. Nesta temperatura o índio [[Fusão|funde-se]] e dissolve-se no germânio. Quando um resfriamento lento é feito, o germânio contendo impurezas de índio começa a se [[Precipitação (química)|precipitar]], cristalizando-se na mesma orientação do cristal do substrato. Porém, diferentemente do substrato (que era do tipo N), a nova região formada é do tipo P (em função do índio). Na interface entre o substrato não dissolvido e a região recentemente cristalizada surge uma junção P-N muito bem definida ou abrupta
*Processo de difusão: neste método a junção é formada pela [[difusão]] de uma impureza (por exemplo [[Dopagem eletrônica#Aceitadoras e doadoras|aceitadora]]) na forma [[Gás|gasosa]] ou [[Líqquido|líquida]] para dentro de um substrato semicondutor (por exemplo [[Dopagem eletrônica#Aceitadoras e doadoras|doador]] do tipo N). Quando os [[átomo]]s da impureza aceitadora penetram o interior do semicondutor, forma-se primeiramente uma região chamada de intrínseca (onde há uma compensação das impurezas doadoras do substrato). À medida que as impurezas vão se acumulando, esta parte do semicondutor vai se tornando do tipo P. A profundidade desta região depende do [[tempo]] e da [[temperatura]] na qual ocorre a difusão. A interface entre a parte do semicondutor tornada P e a parte N do substrato que permaneceu não contaminada forma a junção P-N, que é do tipo gradual.
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