Transistor de junção bipolar: diferenças entre revisões
Conteúdo apagado Conteúdo adicionado
→Estrutura do TJB: Inserido texto que fala sobre o ganho de corrente beta ou hFE |
|||
Linha 12:
== Estrutura do TJB ==
[[Imagem:BJT NPN symbol (case).svg|thumb|130x130px|TJB do tipo NPN]]
O TJB é um dispositivo de três terminais, sendo os quais, a '''Base, '''o '''Emissor (Emitter)''' ''' '''e o '''Coletor (Collector). '''O nome de "bipolar", vem de o transporte de carga se efetuar por dois portadores, electrões e lacunas. O parâmetro mais importante utilizado nos modelos do TJB é o ganho de corrente entre coletor e base, denotado por <math>\beta</math>. Este está relacionado com o processo de fabrico, a tecnologia e as dimensões do dispositivo.
Existem essencialmente dois tipos de TJB, o do tipo NPN (veja a imagem) e PNP. O primeiro, como o nome indica, tem semicondutor de que é feito o Coletor, a Base, e o Emissor, dopado N-P-N, respetivamente. De modo análogo se passa com o do tipo PNP.
| |||