Física dos semicondutores: diferenças entre revisões

Conteúdo apagado Conteúdo adicionado
Rei-bot (discussão | contribs)
m colocar data utilizando AWB
Rei-bot (discussão | contribs)
m colocar data, Replaced: {{factual}} → {{Sem-fontes|data=Fevereiro de 2008}} utilizando AWB
Linha 1:
{{Sem-fontes|data=Fevereiro de 2008}}
{{factual}}
{{revisar}}
{{Wikificação|data=Fevereiro de 2008}}
{{wkf}}
A física dos semicondutores fundamenta-se na quantidade de elétrons na camada de valência dos átomos do dispositivo a circular corrente elétrica, e no manuseio de outros tipos de substâncias chamadas de "impurezas" que podem ser do tipo N ou P e que ao serem misturadas com esses átomos alteram o estado de elétrons livres no composto. As misturas do tipo N têm 5 elétrons na camada de valência, e ao serem misturadas com a base de valência de 4 elétrons (por ex: germânio ou silício) aumentam o número de elétrons livres no composto, já que a ligação covalente dos dois átomos deixaria um elétron sobrando, e esse elétron que sobra vira um elétron livre, aumentando drasticamente a condutividade do composto.
As "impurezas" do tipo P têm apenas 3 elétrons de valência, e na ligação covalente com a base(4 elétrons de valência) ficaria faltando um elétron na ligação(7-8=-1), deixando uma "lacuna" nessa ligação. Essa lacuna funciona como um potencial positivo para o escoamento da corrente e etc... assim o fluxo de elétrons tende a ir da junção base-N, onde sobram elétrons, para a junção base-P onde elétrons faltam...