Ficheiro:Rtd seq v3.gif

Rtd_seq_v3.gif(453 × 362 píxeis, tamanho: 73 kB, tipo MIME: image/gif, cíclico, 40 quadros, 10 s)

Descrição do ficheiro

Descrição
English: A working mechanism of a Resonant Tunneling Diode device and negative differential resistance in output characteristic. Notice the negative resistance characteristic after the first current peak due to reduction of first energy level below source fermi level with gate bias.
Data
Origem Tool:Resonant Tunneling Diode Simulation with NEGF simulator on www.nanoHUB.org. Link: http://nanohub.org/resources/8799
Autor Saumitra R Mehrotra & Gerhard Klimeck
Permissão
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atual16h23min de 30 de setembro de 2023Miniatura da versão das 16h23min de 30 de setembro de 2023453 × 362 (73 kB)BeaoRemoved watermark
01h15min de 2 de fevereiro de 2010Miniatura da versão das 01h15min de 2 de fevereiro de 2010453 × 362 (354 kB)Beatnik8983{{Information |Description={{en|1=A working mechanism of a Resonant Tunneling Diode device and negative differential resistance in output characteristic. Notice the negative resistance characteristic after the first current peak due to reduction of first

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