Abrir menu principal

Thyristor random access memory

(Redirecionado de T-RAM)
Question book.svg
Este artigo ou secção não cita fontes confiáveis e independentes (desde junho de 2016). Ajude a inserir referências.
O conteúdo não verificável pode ser removido.—Encontre fontes: Google (notícias, livros e acadêmico)

Thyristor Random Access Memory ou T-RAM é um tipo de memória de acesso aleatório inventado e desenvolvido por T-RAM Semiconductor que parte dos projetos usuais de células de memória, combinando os pontos fortes do DRAM e SRAM: alta densidade e alta velocidade.

Esta tecnologia, que explora a propriedade eléctrica conhecida como resistência diferencial negativa e é chamado Thyristor estreito capacitivamente acoplado, é utilizado para criar células de memória capaz de densidades muito elevadas de embalagem. Devido a isso, a memória é altamente flexível, e já tem uma densidade de armazenamento que é várias vezes superior ao encontrado na memória SRAM convencional transistor-seis. Espera-se que a próxima geração de memória T-RAM terá a mesma densidade que o DRAM.

Ícone de esboço Este artigo sobre hardware é um esboço. Você pode ajudar a Wikipédia expandindo-o.