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Transistores com diferentes encapsulamentos. À esquerda um transistor de sinal em encapsulamento TO-92. À direita um transistor de alta potência em encapsulamento metálico TO-3.

O transístor (português europeu) ou transistor (português brasileiro) é um componente eletrônico que começou a popularizar-se na década de 1950, tendo sido o principal responsável pela revolução da eletrônica na década de 1960. São utilizados principalmente como amplificadores e interruptores de sinais elétricos, além de retificadores elétricos em um circuito, podendo ter variadas funções. O termo provém do inglês transfer resistor (resistor/resistência de transferência), como era conhecido pelos seus inventores.[1]

O processo de transferência de resistência, no caso de um circuito analógico, significa que a impedância característica do componente varia para cima ou para baixo da polarização pré-estabelecida. Graças a esta função, a corrente elétrica que passa entre coletor e emissor do transistor varia dentro de determinados parâmetros pré-estabelecidos pelo projetista do circuito eletrônico. Esta variação é feita através da variação de corrente num dos terminais chamados base, o que, consequentemente, ocasiona o processo de amplificação de sinal.

Entende-se por “amplificar” o procedimento de tornar um sinal elétrico mais forte. Um sinal elétrico de baixa intensidade, como os sinais gerados por um microfone, é injetado num circuito eletrônico (transistorizado por exemplo), cuja função principal é transformar este sinal fraco gerado pelo microfone em sinais elétricos com as mesmas características, mas com potência suficiente para excitar os alto-falantes. A este processo todo dá-se o nome de ganho de sinal.

Índice

InvençãoEditar

O transístor de silício e germânio foi inventado nos Laboratórios da Bell Telephone por John Bardeen e Walter Houser Brattain em 1947 e, inicialmente, demonstrado em 23 de Dezembro de 1948, por John Bardeen, Walter Houser Brattain e William Bradford Shockley, que foram laureados com o Nobel de Física em 1956. Ironicamente, eles pretendiam fabricar um transistor de efeito de campo (FET) idealizado por Julius Edgar Lilienfeld antes de 1925, mas acabaram por descobrir uma amplificação da corrente no ponto de contato do transistor. Isto evoluiu posteriormente para converter-se no transistor de junção bipolar (BJT). O objetivo do projeto era criar um dispositivo compacto e barato para substituir as válvulas termoiônicas usadas nos sistemas telefônicos da época.

Os transistores bipolares passaram, então, a ser incorporados a diversas aplicações, tais como aparelhos auditivos, seguidos rapidamente por rádios transistorizados. Mas a indústria norte-americana não adotou imediatamente o transistor nos equipamentos eletrônicos de consumo, preferindo continuar a usar as válvulas termoiônicas, cuja tecnologia era amplamente dominada. Foi por meio de produtos japoneses, notadamente os rádios portáteis fabricados pela Sony, que o transistor passou a ser adotado em escala mundial. Não houve muitas mudanças até então.

Nessa época, o MOSFET[2] (Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor – Transistor de Efeito de Campo formado por Metal, Óxido e Silício) ficou em segundo plano, quase esquecido. Problemas de interface inviabilizavam a construção dos MOSFETs. Contudo, em 1959, Atalla e Kahng, da Bell Labs, fabricaram e conseguiram a operação de um transistor MOS. Nessa época, os transistores MOS eram tidos como curiosidade, devido ao desempenho bastante inferior aos bipolares.

A grande vantagem dos transistores em relação às válvulas foi demonstrada em 1958, quando Jack Kilby, da Texas Instruments, desenvolveu o primeiro circuito integrado, consistindo de um transistor, três resistores e um capacitor, implementando um oscilador simples. A partir daí, via-se a possibilidade de criação de circuitos mais complexos, utilizando integração de componentes. Isto marcou uma transição na história dos transistores, que deixaram de ser vistos como substitutos das válvulas e passaram a ser encarados como dispositivos que possibilitam a criação de circuitos complexos, integrados.

Em 1960, devido a sua estrutura mais simples, o MOS passou a ser encarado como um dispositivo viável para circuitos digitais integrados. Nessa época, havia muitos problemas com estados de impurezas, o que manteve o uso do MOS restrito até o fim da década de 60. Entre 1964 e 1969, identificou-se o Sódio (Na) como o principal causador dos problemas de estado de superfície e começaram a surgir soluções para tais problemas.

No início da tecnologia MOS, os transistores PMOS foram mais utilizados, apesar de o conceito de Complementary MOS (CMOS) já ter sido introduzido por Weimer. O problema ainda era a dificuldade de eliminação de estados de superfície nos transistores NMOS.

Em 1970, a Intel anunciava a primeira DRAM, fabricada com tecnologia PMOS. Em 1971, a mesma empresa lançava o primeiro microprocessador do mundo, o 4004, baseado em tecnologia PMOS. Ele tinha sido projetado para ser usado em calculadoras. Ainda em 1971, resolviam-se os problemas de estado de superfície e emergia a tecnologia NMOS, que permitia maior velocidade e maior poder de integração.

O domínio da tecnologia MOS dura até o final dos anos 70. Nessa época, o NMOS passou a ser um problema, pois com o aumento da densidade dos CIs, a tecnologia demonstrou-se insuficiente, pois surgem grandes problemas com consumo de potência (que é alta nesse tipo de tecnologia). Com isso, a tecnologia CMOS começava a ganhar espaço.

A partir da década de 80, o uso de CMOS foi intensificado, levando a tecnologia a ser usada em 75% de toda a fabricação de circuitos, por volta do ano 2000.

ImportânciaEditar

 
Um transistor Darlington aberto para que o chip transistorizado (o pequeno quadrado) possa ser visto dentro dele. Um transistor Darlington é efetivamente dois transistores no mesmo chip. Um transistor é muito maior do que o outro, mas ambos são grandes em comparação com os transistores na integração em grande escala, porque esse exemplo específico é destinado a aplicações de energia.

O transistor é o componente ativo chave em praticamente todos os eletrônicos modernos. Muitos consideram ser uma das maiores invenções do século XX.[3] Sua importância na sociedade atual depende de sua capacidade de ser produzida em massa usando um processo altamente automatizado (fabricação de dispositivos semicondutores) que alcança custos surpreendentemente baixos por transistor. A invenção do primeiro transistor na Bell Labs foi nomeada como um marco na IEEE em 2009.[4]

Embora várias empresas produzam mais de um bilhão de transistores embalados individualmente (conhecidos como "discretos") a cada ano,[5] a grande maioria dos transistores agora é produzida em circuitos integrados (muitas vezes encurtados para IC, microchips ou simplesmente chips), junto com diodos, resistores, capacitores e outros componentes eletrônicos, para produzir circuitos eletrônicos completos. Uma porta lógica consiste em até cerca de vinte transistores, enquanto um microprocessador avançado, a partir de 2009, pode usar até 3 bilhões de transistores (MOSFETs).[6] "Cerca de 60 milhões de transistores foram construídos em 2002 ... para [cada] homem, mulher e criança na Terra."[7]

FabricaçãoEditar

 
Símbolos dos transistores bipolares

Os materiais utilizados na fabricação do transistor são principalmente o Silício (Si), o Germânio (Ge), o Gálio (Ga) e alguns óxidos. Na natureza, o silício é um material isolante elétrico, devido à conformação das ligações eletrônicas do seu átomo, gerando uma rede eletrônica altamente estável. Atualmente, o transistor de germânio é menos usado, tendo sido substituído pelo de silício.

O silício é purificado e passa por um processo que reordena sua estrutura cristalina entre seus átomos. O material é cortado em finos discos, que a seguir vão para um processo chamado de dopagem, onde são introduzidas quantidades rigorosamente controladas de materiais selecionados (conhecidos como impurezas) que transformam a estrutura eletrônica, introduzindo-se entre as ligações dos átomos de silício. O Silício realiza ligações covalentes de quatro elétrons. Quando adicionamos uma impureza com 3 elétrons na última camada, faltará um elétron na ligação covalente, formando os buracos e caracterizando a pastilha como pastilha P.

Quando adicionamos uma impureza com 5 elétrons na última camada, vai sobrar um elétron na ligação covalente com o silício. Esses elétrons livres têm pouca interação com seu átomo, então qualquer energia fornecida o faz sair, sendo assim um elétron livre (assim se forma a pastilha N, que tem esse nome por ter maior número de elétrons livres). A pastilha P tem menos elétrons livres e mais "buracos" e a Pastilha N tem mais elétrons livres que buracos. Não podemos dizer que a pastilha P é positiva nem que a pastilha N é negativa, porque a soma total de elétrons é igual à soma total de prótons. Quando unimos a pastilha P e a pastilha N, os elétrons livres em excesso na pastilha N migram para a pastilha P e os buracos da pastilha P migram para a pastilha N. Deste modo a pastilha P fica negativa e a pastilha N fica positiva. Isto é o diodo.

O transistor é montado justapondo-se uma camada P, uma N e outra P (unindo-se dois diodos), criando-se um transistor do tipo PNP. O transistor do tipo NPN é obtido de modo similar. A camada do centro é denominada base, e as outras duas são o emissor e o coletor. No símbolo do componente, o emissor é indicado por uma seta, que aponta para dentro do transistor se o componente for PNP, ou para fora, se for NPN.

Cientistas portugueses do Centro de Investigação de Materiais (Cenimat) da Faculdade de Ciências e Tecnologia da Universidade Nova de Lisboa conseguiram fabricar pela primeira vez transistores com papel.[8]. Essa equipe de investigadores foi liderada por Elvira Fortunato e Rodrigo Martins.

FuncionamentoEditar

 
Transístor moderno de alta potência

No transistor de junção bipolar ou TJB (BJT – Bipolar Junction Transistor na terminologia inglesa), o controle da corrente coletor-emissor é feito injetando corrente na base. O efeito transistor ocorre quando a junção coletor-base é polarizada reversamente e a junção base-emissor é polarizada diretamente. Uma pequena corrente de base é suficiente para estabelecer uma corrente entre os terminais de coletor-emissor. Esta corrente será tão maior quanto maior for a corrente de base, de acordo com o ganho. Isso permite que o transistor funcione como amplificador pois ao se injetar uma pequena corrente na base se obtém uma alta tensão de saída. No entanto o transistor de silício só permite seu funcionamento com uma tensão entre base e emissor acima de 0,7V e 0,3V para o germânio.

Características de um transistorEditar

 
Símbolo do transístor em calçada à portuguesa na Universidade de Aveiro

O fator de multiplicação da corrente na base (iB), mais conhecido por Beta do transistor ou por hFE, que é dado pela expressão iC = iB x β

  • iC: corrente de coletor
  • iB: corrente de base
  • β: beta (ganho de corrente DC)

Configurações básicas de um transistor:

Existem três configurações básicas (BC, CC e EC)[9], cada uma com suas vantagens e desvantagens.

Base comum (BC)

  • Baixa impedância (Z) de entrada.
  • Alta impedância (Z) de saída.
  • Não há defasagem entre o sinal de saída e o de entrada.
  • Amplificação de corrente igual a um.

Coletor comum (CC)

  • Alta impedância (Z) de entrada.
  • Baixa impedância (Z) de saída.
  • Não há defasagem entre o sinal de saída e o de entrada.
  • Amplificação de tensão igual a um.

Emissor comum (EC)

  • Média impedância (Z) de entrada.
  • Alta impedância (Z) de saída.
  • Defasagem entre o sinal de saída e o de entrada de 180°.
  • Pode amplificar tensão e corrente, até centenas de vezes.

Os transistores possuem diversas características. Seguem alguns exemplos dos parâmetros mais comuns que poderão ser consultadas nos datasheets dos fabricantes:

  • Tipo: é o nome do transistor.
  • Pol: polarização; negativa quer dizer NPN e positiva significa PNP.
  • VCEO: tensão entre coletor e emissor com a base aberta.
  • VCER: tensão entre coletor e emissor com resistor no emissor.
  • IC: corrente máxima do coletor.
  • PTOT: é a máxima potência que o transistor pode dissipar.
  • hFE: ganho (beta).
  • Ft: frequência máxima.
  • Encapsulamento: a maneira como o fabricante encapsulou o transistor nos fornece a identificação dos terminais.
  • Diferença de ganho entre transistores iguais. Esta é uma característica importante dos transistores, determinante para a escolha do componente adequado em projetos. Apesar do estágio avançado de desenvolvimento tecnológico que estamos vivendo nos dias atuais, ainda existem imperfeições no processo de fabricação de transistores, no que se refere a deposição de impurezas na região semicondutora, durante o processo de dopagem. Assim sendo, transistores de um mesmo modelo e lote, possuem dierenças de dopagem, que influenciam diretamente na sua resistividade, consequentemente no seu ganho. Desta forma um transistor que possui uma dopagem maior, irá conduzir mais do que outro com uma dopagem menor, isto falando-se em transistores teoricamente idênticos. Na maioria dos casos, este fato pode ser prejudiacial para o desempenho do circuito, e medidas de controle devem ser tomadas, como por exemplo a incersão de malhas de realimentação negativa, para controle do ganho dos transistores. Ja em alguns casos, esta diferença de ganho é explorada de forma positiva, sendo fundamentais para o funcionamento de certos circuitos, como por exemplo nos Multivibradores, nos quais esta diferença faz com que um transistor conduza mais do que o outro, fazendo com que um deles entre em saturação, e outro em corte. Isto permite que se use no circuito componentes teoricamente iguais, facilitando os cálculos do projeto, e também sem a necessidade de circuitos de inicialização externos, durante estados transitórios.
  • Capacitâncias parasitas. A capacitância parasita pode se manifestar de diferentes formas, dependendo do tipo do circuito e do transistor. Um efeito bastante comum, é o efeito conhecido como "cross talk[10]", no qual campos elétricos próximos e adjacentes ao transistor, podem leva-lo a condução, mesmo sem que nenhum sinal esteja sendo aplicado em seu terminal de controle, produzindo interferências. Um segundo efeito bastante comum é o atraso de propagação de sinais, quando circuito possui muitos estágios com transistores ligados em cascata, devido ao fato do tempo necessário para que o seu terminal de controle seja carregado para inciar a condução do transistor. Outro efeito, é o chamado de "carregamento de base", no caso dos transistores bipolares de junção (BJT), ou "carregamento de porta[11]" no caso dos transistores de efeito de campo de óxido metálico (MOSFET). No caso dos transistores bipolares, este efeito se caracteriza pelo fato que ao ser desligado repentinamente, e ligado logo em seguida, percebe-se que neste circuito, se o transistor estava anteriormente saturado, ele vai ao corte espontaneamente, e vice versa. Este fato ocorre devido ao acúmulo ou perda de elétrons em sua base, polarizando-a involuntariamente reversamente, ou diretamente. Contudo , num TBJ, este efeito dura apenas alguns segundos, devido ao fato que por ser um transistor de junção, e suas regiões estarem eletricamente unidas, os elétrons acumulados ou em falta em alguma delas, podem se distribuir para as demais, num curto espaço de tempo. É importante salientar que os efeitos da capacitância parasita, atingem todos os transistores em geral, sejam eles de junção ou mosfets, só que nestes últimos, ela é bem mais intensa e duradoura, devido a porta, que é o seu eletrodo de controle, estar isolada por uma camada de óxido metálico, do resto da região semicondutora, produzindo um "efeito memória". Este efeito da capacitância parasita em mosfets, é utilizado também positivamente em memórias não voláteis, como a EPROM, EEPROM e Flash, acrescentando mais uma porta em flutuação no transistor mosfet, de modo a se ter um capacitor completo.

Existem também outros tipos de transistores, notadamente os de efeito de campo (transistores FET, de Field Effect Transistor); neste caso, o controle da corrente é feito por tensão aplicada à porta.

Ver tambémEditar

Referências

  1. Morimoto, Carlos E. (26 de junho de 2005). «Transístor». Guia do Hardware. Consultado em 13 de fevereiro de 2012 
  2. «Fet - Transistores de Efeito de Campo». Radiopoint. Consultado em 13 de fevereiro de 2012 
  3. Price, Robert W. (2004). Roadmap to Entrepreneurial Success. [S.l.]: AMACOM Div American Mgmt Assn. p. 42. ISBN 978-0-8144-7190-6 
  4. «Milestones:Invention of the First Transistor at Bell Telephone Laboratories, Inc., 1947». IEEE Global History Network. IEEE. Consultado em 23 de abril de 2019. Cópia arquivada em 8 de outubro de 2011 
  5. FETs/MOSFETs: Smaller apps push up surface-mount supply
  6. ATI and Nvidia face off Arquivado em 23 de maio de 2013 no Wayback Machine.
  7. The Two Percent Solution Arquivado em 4 de março de 2016 no Wayback Machine.
  8. idPT (Ideias Portuguesas
  9. «Transistor». ARVM. Consultado em 13 de fevereiro de 2012 
  10. Vieira, Gilson. «Análise de componentes esparsos locais com aplicações em ressonância magnética funcional» 
  11. Tran; Fung; Scott; Havemann; Eklund (1988). «A novel BiCMOS TTL input buffer; a merging of analog and digital circuit design techniques». IEEE. Symposium on VLSI Circuits. ISBN 493081376X. doi:10.1109/vlsic.1988.1037425 

Ligações externasEditar