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==História==

[[Imagem:Replica-of-first-transistor.jpg|miniatura|Uma réplica do primeiro transistor]]

O [[tríodo]] termiônico, um tubo a vácuo inventado em 1906, possibilitou a amplificação da tecnologia de rádio e a telefonia de longa distância. O [[triodo]], no entanto, era um dispositivo frágil que consumia uma quantidade substancial de energia. Em 1909, o físico William Eccles descobriu o oscilador de diodo de cristal.<ref>{{Citar livro| url=https://books.google.com/?id=YiJaEAUj258C&pg=PA430&dq=Eccles+Oscillator+Galena#v=onepage&q=Eccles%20Oscillator%20Galena&f=false | título=Concise Encyclopedia of Building and Construction Materials| ISBN=9780262132480|último1=Moavenzadeh|primeiro1=Fred| ano=1990}}</ref> O físico Julius Edgar Lilienfeld depositou uma patente para um transistor de efeito de campo (FET) no [[Canadá]] em 1925,<ref>{{Citar livro| url=https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/originalDocument?FT=D&date=19270719&DB=&CC=CA&NR=272437A&KC=A&locale=en_EP# | título=Specification of electric current control mechanism patent application| último1=Lilienfeld|primeiro1=Julius Edgar|ano=1927}}</ref> que foi planejado para ser um substituto de estado sólido para o tríodo.<ref>Vardalas, John (May 2003) [http://www.todaysengineer.org/2003/May/history.asp Twists and Turns in the Development of the Transistor] {{webarchive|url=https://web.archive.org/web/20150108082709/http://www.todaysengineer.org/2003/May/history.asp |data=8 de janeiro de 2015 }} ''IEEE-USA Today's Engineer''.</ref><ref>Lilienfeld, Julius Edgar, "Method and apparatus for controlling electric current" {{US patent|1745175}} January 28, 1930 (filed in Canada 1925-10-22, in US October 8, 1926).</ref> Lilienfeld também apresentou patentes idênticas nos Estados Unidos em 1926<ref>{{citar web|título=Method And Apparatus For Controlling Electric Currents|publicado=United States Patent and Trademark Office|url=http://www.google.com/patents?id=uBFMAAAAEBAJ&printsec=abstract#v=onepage&q&f=false}}</ref> e 1928.<ref>{{citar web|título=Amplifier For Electric Currents|publicado=United States Patent and Trademark Office| url=http://www.google.com/patents?id=jvhAAAAAEBAJ&printsec=abstract#v=onepage&q&f=false}}</ref><ref>{{citar web|título=Device For Controlling Electric Current|publicado=United States Patent and Trademark Office| url=http://www.google.com/patents?id=52BQAAAAEBAJ&printsec=abstract#v=onepage&q&f=false}}</ref> No entanto, Lilienfeld não publicou nenhum artigo de pesquisa sobre seus dispositivos, nem suas patentes citam exemplos específicos de um protótipo funcional. Como a produção de materiais semicondutores de alta qualidade ainda estava a décadas de distância, as idéias de amplificadores de estado sólido de Lilienfeld não teriam encontrado utilidade prática nas décadas de 1920 e 1930, mesmo se tal dispositivo tivesse sido construído.<ref name="todaysengineer.org">{{citar web|título=Twists and Turns in the Development of the Transistor|publicado=Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc.|url=http://www.todaysengineer.org/2003/May/history.asp|urlmorta=sim|arquivourl=https://web.archive.org/web/20150108082709/http://www.todaysengineer.org/2003/May/history.asp|arquivodata=8 de janeiro de 2015|df=mdy-all}}</ref> Em 1934, o inventor alemão Oskar Heil patenteou um dispositivo similar na [[Europa]].<ref>[http://v3.espacenet.com/publicationDetails/biblio?CC=GB&NR=439457&KC=&FT=E Heil, Oskar, "Improvements in or relating to electrical amplifiers and other control arrangements and devices"], Patent No. GB439457, European Patent Office, filed in Great Britain 1934-03-02, published December 6, 1935 (originally filed in Germany March 2, 1934).</ref>

 

De 17 de novembro de 1947 a 23 de dezembro de 1947, John Bardeen e Walter Brattain da Bell Labs da AT&T em Murray Hill, [[Nova Jersey]], nos Estados Unidos, realizaram experimentos e observaram que quando dois pontos de ouro eram aplicados a um cristal de germânio, um sinal foi produzido com a potência de saída maior que a entrada.<ref>{{citar web|título=November 17 – December 23, 1947: Invention of the First Transistor|publicado=American Physical Society| url=http://www.aps.org/publications/apsnews/200011/history.cfm|urlmorta=não| arquivourl=https://web.archive.org/web/20130120065607/http://www.aps.org/publications/apsnews/200011/history.cfm| arquivodata=20 de janeiro de 2013| df=mdy-all}}</ref> O líder do Grupo de Física do Estado Sólido, William Shockley, viu o potencial nisso, e nos próximos meses trabalhou para ampliar o conhecimento sobre semicondutores. O termo transistor foi cunhado por John R. Pierce como uma contração do termo transresistência.<ref>{{citar livro |título=A History of Engineering and Science in the Bell System, Physical Science (1925–1980) |ultimo= |primeiro= |editora= |ano=1983 |editor=Millman, S. |local= |página=102 |páginas= |publicado=AT&T Bell Laboratories}}</ref><ref>{{citar livro|autor=Bodanis, David |título=Electric Universe|publicado=Crown Publishers, New York|ano=2005|ISBN=978-0-7394-5670-5}}</ref><ref>{{cite encyclopedia|encyclopedia=American Heritage Dictionary| edition=3rd| year=1992|publisher=Houghton Mifflin| location=Boston| title=transistor}}</ref> De acordo com Lillian Hoddeson e Vicki Daitch, autores de uma biografia de John Bardeen, Shockley propôs que a primeira patente do Bell Labs para um transistor deveria ser baseada no efeito de campo e que ele fosse nomeado como o inventor. Tendo desenterrado as patentes de Lilienfeld que entraram na obscuridade anos antes, os advogados da Bell Labs desaconselharam a proposta de Shockley porque a ideia de um transistor de efeito de campo que usasse um campo elétrico como uma "grade" não era nova. Em vez disso, o que Bardeen, Brattain e Shockley inventaram em 1947 foi o primeiro transistor de contato pontual.<ref name="todaysengineer.org"/> Em reconhecimento a essa conquista, Shockley, Bardeen e Brattain receberam conjuntamente o Prêmio Nobel de Física de 1956 "por suas pesquisas sobre semicondutores e sua descoberta do efeito do transistor".<ref>{{citar web|título=The Nobel Prize in Physics 1956|url=http://nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/1956/|publicado=nobelprize.org|urlmorta=no|arquivourl=https://web.archive.org/web/20070312091604/http://nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/1956/|arquivodata=12 de março de 2007|df=mdy-all}}</ref><ref name="guarnieri 1">{{Citar jornal|último=Guarnieri|primeiro=M.|ano=2017|título=Seventy Years of Getting Transistorized|jornal=IEEE Industrial Electronics Magazine|volume=11|issue=4|páginas=33–37|doi=10.1109/MIE.2017.2757775|ref=harv}}</ref>

 

Em 1948, o transistor de ponto de contato foi inventado independentemente pelos físicos alemães Herbert Mataré e Heinrich Welker enquanto trabalhavam na Compagnie des Freins et Signaux, uma subsidiária da [[Westinghouse Electric Corporation|Westinghouse]] localizada em [[Paris]]. Mataré tinha experiência anterior no desenvolvimento de retificadores de cristal de [[silício]] e germânio no esforço de [[radar]] alemão durante a [[Segunda Guerra Mundial]]. Usando esse conhecimento, ele começou a pesquisar o fenômeno da "interferência" em 1947. Em junho de 1948, testemunhando correntes fluindo através de pontos de contato, Mataré produziu resultados consistentes usando amostras de germânio produzidas por Welker, semelhante ao que Bardeen e Brattain haviam realizado antes, em dezembro de 1947. Percebendo que os cientistas da Bell Labs já haviam inventado o transistor antes deles, a empresa se apressou em colocar seu "transistron" em produção para uso amplificado na rede de telefonia da França.<ref>{{citar web|título=1948, The European Transistor Invention|publicado=Computer History Museum|url=http://www.computerhistory.org/semiconductor/timeline/1948-European.html|urlmorta=não|arquivourl=https://web.archive.org/web/20120929202704/http://www.computerhistory.org/semiconductor/timeline/1948-European.html|arquivodata=29 de setembro de 2012|df=mdy-all}}</ref>

Os primeiros [[Transistor de junção bipolar|transistores de junção bipolar]] foram inventados por [[William Shockley]], da Bell Labs, que solicitou a patente (2.569.347) em 26 de junho de 1948. Em 12 de abril de 1950, os químicos Gordon Teal e Morgan Sparks, da Bell Labs, produziram com sucesso uma junção NPN bipolar que amplificava o transistor de germânio. A Bell Labs anunciou a descoberta deste novo transistor "sanduíche" em um comunicado de imprensa em 4 de julho de 1951.<ref>[http://www.computerhistory.org/siliconengine/first-grown-junction-transistors-fabricated/ 1951: First Grown-Junction Transistors Fabricated] {{webarchive|url=https://web.archive.org/web/20170404035446/http://www.computerhistory.org/siliconengine/first-grown-junction-transistors-fabricated/ |data=4 de abril de 2017 }}</ref><ref>{{citar web |url=https://www.pbs.org/transistor/science/info/junctw.html |título=Archived copy |acessodata=30 de maio de 2019 |urlmorta=não |arquivourl=https://web.archive.org/web/20170703002246/http://www.pbs.org/transistor/science/info/junctw.html |arquivodata=3 de julho de 2017 |df=mdy-all }}</ref>

 

 

O primeiro transistor de alta frequência foi o transistor de [[germânio]] de superfície-barreira desenvolvido pela [[Philco]] em 1953, capaz de operar até 60 [[MHz]].<ref>{{citar jornal| jornal=Proceedings of the IRE| data=dezembro de 1953| autor=Bradley, W.E. |título=The Surface-Barrier Transistor: Part I-Principles of the Surface-Barrier Transistor| volume=41| issue=12| páginas=1702–1706| doi=10.1109/JRPROC.1953.274351}}</ref> Estas foram feitas por gravura de depressões em uma base de germânio do tipo N de ambos os lados com jatos de sulfato de índio (III) até que ele tivesse alguns dez milésimos de uma polegada de espessura. O índio galvanizado nas depressões formava o coletor e o emissor.<ref>Wall Street Journal, December 4, 1953, page 4, Article "Philco Claims Its Transistor Outperforms Others Now In Use"</ref><ref>Electronics magazine, January 1954, Article "Electroplated Transistors Announced"</ref>

 

 

 

O primeiro auto-rádio de produção "transistor" foi desenvolvido pelas corporações Chrysler e Philco e foi anunciado na edição de 28 de abril de 1955 do ''[[Wall Street Journal]]''. A Chrysler havia fabricado o rádio para todos os transistores, o Mopar modelo 914HR, disponível como opção a partir do outono de 1955 para sua nova linha de carros Chrysler e Imperial de 1956, que atingiu os andares da concessionária em 21 de outubro de 1955.<ref>Wall Street Journal, "Chrysler Promises Car Radio With Transistors Instead of Tubes in '56", April 28th 1955, page 1</ref><ref>{{citar web|último=Hirsh |primeiro=Rick |url=http://www.allpar.com/stereo/Philco/index.html |título=Philco's All-Transistor Mopar Car Radio |publicado=Allpar.com |data= |acessodata=30 de maio de 2019}}</ref><ref>{{citar web|url=http://www.fcanorthamerica.com/company/Heritage/Pages/Chrysler-Heritage-1950.aspx|título=FCA North America - Historical Timeline 1950-1959|website=www.fcanorthamerica.com}}</ref>