Dopagem eletrônica: diferenças entre revisões
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==História==
A dopagem de semicondutores foi desenvolvida originalmente por [[John Robert Woodyard]], a serviço da [[Sperry Gyroscope Company]], durante a [[Segunda
</ref>. Um trabalho relacionado ao de Woodyard foi desenvolvido nos [[Laboratórios Bell]] por [[Gordon K. Teal]] e [[Morgan Sparks]]<ref>Sparks, Morgan and Teal, Gordon K. “Method of Making P-N Junctions in Semiconductor Materials,” U. S. Patent 2,631,356 (Filed June 15, 1950. Issued March 17, 1953)</ref>.
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