Transistor de efeito de campo: diferenças entre revisões

* MOSFET tipo Intensificação;

* MOSFET tipo Depleção.

Os termos depleção e intensificação definem o seu modo básico de operação, enquanto o nome MOSFET designa o transistor Metal Óxido Semicondutor.

== História ==

Os FETs foram inventados por [[Julius Edgar Lilienfeld]] em [[1926]] e por [[Oskar Heil]] em [[1934]].<br />

Em [[1960]] [[John Atalla]] desenvolveu o MOSFET baseado nas teorias de [[William Shockley]] sobre o efeito de campo.<ref>[http://www.electro.patent-invent.com/electricity/inventions/fet.html Patentes]</ref>

* [http://geocities.yahoo.com.br/componenteseletronicos/index.htm Transistor datasheet]

* [http://www.gta.ufrj.br/grad/01_1/igtb/Pagina_IGBT.htm O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)]

== Referências ==

{{reflist}}

 

[[Categoria:Componentes eletrônicos]]

[[Categoria:Semicondutores]]

[[Categoria:Transistores]]

 

[[ar:مقحل حقلي]]