Dopagem: diferenças entre revisões

*[[Dopagem eletrônica]]: adição de impurezas químicas elementares (usualmente [[índio]] ou [[fósforo]]) em [[elemento químico]] [[semicondutor]] puro (ou o [[germânio]] ou o [[silício]], notadamente este último, na era atual), com a finalidade de dotá-los de propriedades de semicondução controlada específica (presença majoritária de portadores de carga ou tipo P, os [[buraco]]s ou tipo N, os [[elétron]]s, respectivamente para as adições de índio e de fósforo), para aplicação em dispositivos eletrônicos elementares de circuitos.

 

 

[[bg:Допинг]]