Transistor de efeito de campo: diferenças entre revisões
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Os FETs têm como principal caracteristica uma elevada [[impedância]] de entrada o que permite seu uso como adaptador de impedâncias podendo substituir [[transformadores]] em determinadas situações,além disso são usados para amplificar [[frequências]] altas com ganho superior ao dos [[transistores]] bipolares.
== Composição ==
Os FETs podem ser compostos por germânio ou sílicio combinados à pequenas quantidades de fósforo e boro,que são substâncias ´´dopantes`` (isto é,que alteram as características elétricas).Os transistores de sílicio são este trabalho esta a ser copiado os mais utilizados atualmente,sendo que transistores de germãnio são usados somente para o controle de grandes potências.
== Polarização ==
Um FET para uso geral apresenta três terminais: porta (gate), fonte (source) e dreno (drain),que permitem seis formas de polarização,sendo três as mais usadas: fonte comum (fonte ligado à entrada e saída simultaneamente), porta comum (porta ligada à entrada e saida simultaneamente) e dreno comum (dreno ligado à entrada e saida simultaneamente).
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