Optoeletrônica: diferenças entre revisões

Quase toda a [[microeletrônica]] atual é baseada no [[silício]]. Entretanto, este semicondutor apresenta propriedades ópticas muito pobres. O desenvolvimento de tecnologias de comunicação e computação baseadas na luz (fotônica) trouxe a necessidade de melhorar a interface entre a microeletrônica e dispositivos ópticos como as [[fibra óptica|fibras ópticas]] e os [[laser|lasers]]. Uma das principais fronteiras nessa área é a busca de novos materiais baseados no silício (combinações de silício com outros elementos).
<ref name="Leong">{{citeCitar journalperiódico |lastultimo= Leong|firstprimeiro= D.;|coautores= Harry, M.; Reeson, K. J.; e Homewood, K. P. |yearano= 1997|titletitulo= A silicon/iron-disilicide light-emitting diode operating at a wavelength of 1.5 &mu;m.|journaljornal= [[Nature]]|volume=387 387|pagespaginas= 686|696|url= http://www.nature.com/nature/journal/v387/n6634/full/387686a0.html}}</ref>
Um dos mais promissores é o beta-dissiliceto de ferro (&beta;-FeSi2)<ref name="Wetzig">{{citeCitar booklivro|lasturl=http://books.google.com.br/books?id=0LgYYj3Q1pIC&printsec=frontcover#v=onepage&q&f=false|ultimo= Wetzig|firstprimeiro=Klaus; |coautor=Schneider, Claus Michael|titletítulo=Metal based thin films for electronics|yearidioma=2006en |editionedição= 2^a|publisher editora= Wiley-VCH|ano=2006 |páginas=64 |isbn=3-527-40650-6|page=64|url= http://books.google.com.br/books?id=0LgYYj3Q1pIC&printsec=frontcover#v=onepage&q&f=false|accessdateacessodata=30/09/2011 }}</ref>, por ter propriedades eletrônicas não muito distantes da do silício ([[gap de energia]] de cerca de 0,87 eV<ref name="Wetzig"/>, enquanto o do silício é de 1,11 eV
<ref name="Streetman">{{citeCitar booklivro|lastultimo=Streetman|firstprimeiro= Ben G.; |coautor=Banerjee, Sanjay |titletítulo= Solid State electronic Devices |editionidioma=5then |yearedição=2000 5|publisherlocal=New Jersey, EUA| editora= [[Prentice Hall]]|locationano=[[New2000 |páginas=524 Jersey]]|isbn=0-13-025538-6|page=524 }}</ref>)
e propriedades ópticas adequadas às necessidades da optoeletrônica atual (o &beta;-FeSi2 emite luz com [[comprimento de onda]] de cerca de 1,5 &mu;m, adequado para a transmissão por fibras ópticas<ref name="Leong"/>).