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Linha 6: Ao contrário da maioria dos outros tipos de memória não-volátil, bytes individuais em uma EEPROM tradicional pode ser lidos, apagados e re-escrita de forma independente. AAtualmente ~~EEPROM~~já ~~[[memória~~existe ~~flash]]~~uma émemória ~~uma~~não-volátil ~~variação~~mais moderna, derivada da EEPROM, a [[memória flash]]. As EEPROM necessitam de maior área que as memórias flash, pois como são organizadas como matrizes de transistores de porta flutuante, cada célula geralmente necessita de um [[transistor]] de leitura e outro de escrita, ao passo que as células da memória flash só necessitam de um, justamente por utilizarem blocos. Quando grandes quantidades de dados estáticos devem ser armazenados (por exemplo, em unidades flash USB) a memória flash é mais econômico do que os dispositivos tradicionais de EEPROM. Enquanto uma [[EPROM]] é programada por um dispositivo eletrônico que dá voltagens maiores do que os usados normalmente em circuitos elétricos e pode ser apagada apenas por exposição a uma forte luz [[ultravioleta]], a EEPROM pode ser programada e apagada dentro do próprio circuito, eletricamente, pela aplicação de sinais de programação especiais. Originalmente, EEPROMs foram limitados a operações de byte único que os fizeram mais lento, mas EEPROMs modernos permitem operações com múltiplos bytes.

EEPROM: diferenças entre revisões