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{| class="wikitable" style="text-align:center; font-size:90%"
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! TypeTipo
! Injeção de elétrons na porta flutuante<br>(Bit=0)
! Inject electrons onto gate<br>(mostly interpreted as Bit=0)
! Duração
! Duration
! Remoção de elétrons na porta flutuante<br>(Bit=1)
! Remove electrons from gate<br>(mostly interpreted as Bit=1)
! Duração
! Duration/Mode
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| EEPROM || fieldEmissão electronde emissioncampo de elétrons || 0,1...5 ms, bytewise || fieldEmissão electronde emissioncampo de elétrons || 0,1...5 ms, blockwise
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| NOR Flash memory || hot carrier injectionHCI || 0,01...1 ms || fieldEmissão electronde emissioncampo de elétrons || 0,01...1 ms, blockwise
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| EPROM || hot carrier injectionHCI || 3...50 ms, bytewise || Luz UV light || 5...30 minutes, whole chipmin
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|}
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