Dopagem eletrônica: diferenças entre revisões

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'''Dopagem eletrônica''' ou simplemente '''dopagem''', quando não houver possibilidade de confusão ou pelo uso no domínio específico ou restrito da eletrônica de semicondutores, é a adição de impurezas químicas elementares (usualmente [[Índio (elemento químico)|índio]] ou [[fósforo]]) em [[elemento químico]] [[semicondutor]] puro (ou o [[germânio]] ou o [[silício]], notadamente este último, na era atual), com a finalidade de dotá-los de propriedades de semicondução controlada específica (presença majoritáriamaioritária de portadores de carga ou tipo P, as lacunas, ou tipo N, os [[elétron]]s, respectivamente para as adições de índio e de fósforo), para aplicação em dispositivos eletrônicos elementares de circuitos.
 
== História ==