|
* Defasagem entre o sinal de saída e o de entrada de 180°.
* Pode amplificar tensão e corrente, até centenas de vezes.
* Diferença de ganho entre transistores iguais. Esta é uma característica importante dos transistores, determinante para a escolha do componente adequado em projetos. Apesar do estágio avançado de desenvolvimento tecnológico que estamos vivendo nos dias atuais, ainda existem imperfeições no processo de fabricação de transistores, no que se refere a deposição de impuresas na região semicondutora, durante o processo de dopagem. Assim sendo, transistores de um mesmo modelo e lote, possuem dierenças de dopagem, que influenciam diretamente na sua resistividade, consequentemente no seu ganho. Desta forma um transistor que possui uma dopagem maior, irá conduzir mais do que outro com uma dopagem menor, isto falando-se em transistores teóricamente idênticos. Na maioria dos casos, este fato pode ser prejudiacial para o desempenho do circuito, e medidas de controle devem ser tomadas, como por exemplo a incersão de malhas de realimentação negativa, para controle do ganho dos transistores. Ja em alguns casos, esta diferença de ganho é explorada de forma positiva, sendo fundamentais para o funcionamento de certos circuitos, como por exemplo nos Multivibradores, nos quais esta diferença faz com que um transistor conduza mais do que o outro, fazendo com que um deles entre em saturação, e outro em corte. Isto permite que se use no circuito componentes teóricamente iguais, facilitando os cálculos do projeto, e também sem a nescessidade de circuitos de inicialização externos, durante estados transitórios.
* Capacitâncias parasitas. A capacitância parasita pode se manifestar de difersas formas, dependendo do tipo do circuito e do transistor. Um efeito bastante comum, é o efeito conhecido como "cross talk", no qual campos elétricos próximos e adjacentes ao transistor, podem leva-lo a condução, mesmo sem que nenhum sinal esteja sendo aplicado em seu terminal de controle, produzindo interferências. Um segundo efeito bastante comum é o atraso de propagação de sinais, quando circuito possui muitos estágios com transistores ligados em cascata, devido ao fato do tempo necessário para que o seu terminal de controle seja carregado para inciar a condução do transistor. Outro efeito, é o chamado de "carregamento de base", no caso dos transistores bipolares de junção (BJT), ou "carregamento de porta" no caso dos transistores de efeito de campo de óxido metálico (MOSFET). No caso dos transistores bipolares, este efeito se caracteriza pelo fato que ao ser desligado repentinamente, e ligado logo em seguida, percebe-se que neste circuito, se o transistor estava anteriormente saturado, ele vai ao corte espontâneamente, e vice versa. Este fato ocorre devido ao acúmulo ou perda de elétrons em sua base, polarizando-a involuntariamente reversamente, ou diretamente. Contudo , num TBJ, este efeito dura apenas alguns segundos, devido ao fato que por ser um transistor de junção, e suas regiões estarem elétricamente unidas, os elétrons acumulados ou em falta em alguma delas, podem se distribuir para as demais, num curto espaço de tempo. É importante salientar que os efeitos da capacitância parasita, atingem todos os transistores em geral, sejam eles de junção ou mosfets, só que nestes últimos, ela é bem mais intensa e duradoura, devido a porta, que é o seu eletrodo de controle, estar isolada por uma camada de óxido metálico, do resto da região semicondutora, produzindo um "efeito memória". Este efeito da capacitância parasita em mosfets, é utilizado também positivamente em memórias não voláteis, como a EPROM, EEPROM e Flash, acrescentando mais uma porta em flutuação no transistor mosfet, de modo a se ter um capacitor completo.
Os transistores possuem diversas características. Seguem alguns exemplos dos parâmetros mais comuns que poderão ser consultadas nos ''datasheets'' dos fabricantes:
|
