Tiristor GTO: diferenças entre revisões
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== Estrutura e funcionamento ==
A estrutura do GTO é essencialmente a de um tiristor convencional. Existem 4 capas de silício (PNPN), '''3 uniões (P-N, N-P e P-N) e três terminais: ânodo (A), cátodo (C ou K) e porta (G)'''. A diferença na operação radica em que um sinal negativo na porta (G) pode apagar o GTO.
Enquanto o GTO encontre-se desligado e não exista sinal na porta, o dispositivo se bloqueia para qualquer polaridade no ânodo, mas uma corrente de fuga (IA leak) existe. Com uma voltagem de bias em directa o GTO bloqueia-se até que uma voltagem de ruptura VAK = VB0 é atingido. Neste ponto existe um processo dinâmico de ignição
[[Ficheiro:GTO thyristor equivalent.svg|miniaturadaimagem|Circuito equivalente de um GTO]]
Uma polarização inversa para VAK pode ser atingida quando ocorra um corte. O valor da tensão inversa de ruptura depende do método de fabricação para a criação de uma regeneração interna para facilitar o processo de desligamento.
Com uma voltagem de polarização direta aplicado ao ânodo um pulso de corrente positiva é aplicada à porta G (gate), o GTO aciona-se e permanece dessa forma. Para esta condição, existem 2 formas de o desligar. Uma forma é reduzindo a corrente de ânodo IA por meios externos até um valor menor à corrente de holding Ih, na qual, a ação regenerativa interna não é efetiva. A segunda forma de desliga-lo é por meio de um pulso no gate, e este é o método mais recomendável porque proporciona um melhor controle.
=== DB-GTO ===
Um ''distributed buffer gate turn-off thyristor'' (DB-GTO) é um tiristor com camadas PN adicionais na região ''drift'' para remodelar o perfil do campo e aumentar a tensão bloqueada no estado desligado. Comparado a uma estrutura PNPN típica de um tiristor convencional, o tiristor DB-GTO tem uma estrutura PN-PN-PN.
==Comparação técnica==
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