Diferenças entre edições de "Dopagem eletrônica"

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==Semicondutor dopado==
 
Em contraste, o cristal de semicondutor que contenha ''intecionalmente'' <u>cerca de</u> um (1) átomo de elemento químico <u>desejado</u> (não qualquer elemento) para cada um milhão (10<sup>6</sup>) de átomos do material em foco, é dito '''semicondutor ''dopado''''', para assim caracterizar que as suas propriedades físico-químicas já não são mais, em essência (ou "intrinseca", propriamente) as do semicondutor e, sim, ditadas pela presença do (ou dos, pois às vezes se utilizam dois ou mais agregados) dopantesdopante(s). Note-se que o teor relativo de impurezas — ou a razão de impureza — para o cristal dopado é expresso por '''1:10<sup>6</sup>''' ou, como também se usa dizer, '''1 ppm (parte por milhão)'''.
 
Assim, semicondutores dopados para controle exibem cerca de mil vezes mais "impurezas" que os semicondutores intrínsecos.
 
Dopado pois em teores na faixa citada (cerca de 1 ppm), dizem-se ''semicondutores extrínsecos''. Quando o nível de dopagem (ou de impurezas) é significativmente mais elevado, dizem-se ''semicondutores degenerados''.
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