Diferenças entre edições de "Dopagem eletrônica"

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Cristais semicondutores dopados do tipo P apresentam [[Buraco (semicondutores)|buracos]] como portadores majoritários de carga elétrica ([[elétron]]s sendo minoritários). Já o contrário ocorre com os cristais semicondutores dopados to tipo N, que apresentam [[elétron]]s como portadores majoritários de carga elétrica (sendo [[Buraco (semicondutores)|buracos]] os minoritários). Isso faz toda a diferença de comportamento entre os dois tipos de cristais dopados e é precisamente do "casamento", conotativamente, de ambos os tipos em várias modalidades que nasce a [[Semicondutor|Eletrônica semicondutora]] em toda a sua pujança.
 
==Ver também==
[[Junção PN]]
 
==Ligações externas==
==Referências bibliográficas==
*MELO, Hilton & INTRATOR, Edmond. '''''Dispositivos semicondutores'''''. [[Rio de Janeiro (cidade)|Rio de Janeiro]] ([[Rio de Janeiro|RJ]]), [[Brasil]]: Ao Livro Técnico S.A., 1972.
 
==Ver também==
*[http://en.wikipedia.org/wiki/Doping_%28semiconductor%29 ''Doping (semiconductors)'', en.wikipedia]
 
{{esboço-materiais}}
[[Categoria:Materiais]]
[[Categoria:Química]]
 
 
[[de:Dotierung]]
[[es:Dopaje (semiconductores)]]
[[fi:Doping (puolijohdetekniikka)]]
[[fr:Dopage (semi-conducteur)]]
[[id:Doping (semikonduktor)]]
[[it:Drogaggio]]
[[ja:ドーピング (半導体)]]
[[nl:Doteren]]
[[no:Doping (halvledere)]]
[[pl:Domieszkowanie]]
[[pt:Dopagem eletrônica]]
[[sv:Dopning (fysik)]]