Dopagem eletrônica: diferenças entre revisões

 

Cristais semicondutores dopados do tipo P apresentam [[Buraco (semicondutores)|buracos]] como portadores majoritários de carga elétrica ([[elétron]]s sendo minoritários). Já o contrário ocorre com os cristais semicondutores dopados to tipo N, que apresentam [[elétron]]s como portadores majoritários de carga elétrica (sendo [[Buraco (semicondutores)|buracos]] os minoritários). Isso faz toda a diferença de comportamento entre os dois tipos de cristais dopados e é precisamente do "casamento", conotativamente, de ambos os tipos em várias modalidades que nasce a [[Semicondutor|Eletrônica semicondutora]] em toda a sua pujança.

 

==Ligações externas==

==Referências bibliográficas==

*MELO, Hilton & INTRATOR, Edmond. '''''Dispositivos semicondutores'''''. [[Rio de Janeiro (cidade)|Rio de Janeiro]] ([[Rio de Janeiro|RJ]]), [[Brasil]]: Ao Livro Técnico S.A., 1972.

 

{{esboço-materiais}}

[[Categoria:Materiais]]

[[Categoria:Química]]