Ficheiro:Locos (microtechnology) process.svg

Imagem numa resolução maior(ficheiro SVG, de 512 × 796 píxeis, tamanho: 27 kB)

Descrição do ficheiro

Descrição
English: The image illustrates the LOCOS technology used in microfabrication mostly to create isolating structures.

I. Preparation of silicon substrate II. CVD deposition of SiO2, pad/buffer oxide III. CVD deposition of Si3N4, nitride mask IV. Etching of nitride layer and silicon oxide layer V. Thermal growth of silicon oxide VI. Furhter growth of thermal silicon oxide VII. Removal of nitride mask

1) Si, silicon substrate 2) SiO2, pad/buffer oxide, chemical vapor deposition silicon oxide 3) Si3N4, nitride mask

4) SiO2, isolation oxide, thermal oxide
Data
Origem Obra do próprio
Autor Twisp

Licenciamento

Public domain Eu, titular dos direitos de autor desta obra, dedico-a ao domínio público, com aplicação em todo o mundo.
Nalguns países isto pode não ser legalmente possível; se assim for:
Concedo a todos o direito de usar esta obra para qualquer fim, sem quaisquer condições, a menos que tais condições sejam impostas por lei.

Legendas

Adicione uma explicação de uma linha do que este ficheiro representa

Elementos retratados neste ficheiro

retrata

Histórico do ficheiro

Clique uma data e hora para ver o ficheiro tal como ele se encontrava nessa altura.

Data e horaMiniaturaDimensõesUtilizadorComentário
atual19h02min de 14 de dezembro de 2009Miniatura da versão das 19h02min de 14 de dezembro de 2009512 × 796 (27 kB)Cepheidensome fixes
16h53min de 19 de janeiro de 2008Miniatura da versão das 16h53min de 19 de janeiro de 2008625 × 1 000 (56 kB)Twisp{{Information |Description= {{en|The image illustrates the LOCOS technology used in microfabrication mostly to create isolating structures. I. Preparation of silicon substrate II. CVD deposition of SiO2, pad/buffer oxide III. CVD deposition of Si3N4, ni

A seguinte página usa este ficheiro:

Utilização global do ficheiro

As seguintes wikis usam este ficheiro: