GDDR4 SDRAM, uma abreviatura de Graphics Double Data Rate 4 Synchronous Dynamic Random-Access Memory, é um tipo de memória de placa gráfica (SGRAM) especificada pelo JEDEC Semiconductor Memory Standard.[1][2] É um meio rival do XDR DRAM da Rambus. GDDR4 é baseado na tecnologia DDR3 SDRAM e tinha como objetivo substituir o GDDR3 baseado em DDR2, mas acabou sendo substituído pelo GDDR5 dentro de um ano.

GDDR4
Desenvolvedor
JEDEC
Tipo
Synchronous dynamic random-access memory
Geração
4ª Geração
Antecessor
GDDR3 SDRAM
Sucessor
GDDR5 SDRAM

Histórico

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  • Em 26 de outubro de 2005, a Samsung anunciou que desenvolveu a primeira memória GDDR4, um chip  de 256 Mbit rodando a 2,5 Gbit/s. A Samsung também revelou planos para testar e produzir em massa SDRAM GDDR4 com taxa de 2,8 Gbit/s por pino.[3]
  • Em 2005, a Hynix desenvolveu o primeiro chip de memória GDDR4 de 512 Mbits.[4]
  • Em 14 de fevereiro de 2006, a Samsung anunciou o desenvolvimento de SDRAM GDDR4 de 32 bits e 512 Mbits capaz de transferir 3,2 Gbit/s por pino, ou 12,8 GB/s para o módulo.
  • Em 5 de julho de 2006, a Samsung anunciou a produção em massa de SDRAM GDDR4 de 32 bits e 512 Mbits avaliada em 2,4 Gbit/s por pino, ou 9,6 GB/s para o módulo. Embora projetado para corresponder ao desempenho da DRAM XDR em memória com alta contagem de pinos, ele não seria capaz de igualar o desempenho XDR em designs com baixa contagem de pinos.[5]
  • Em 9 de fevereiro de 2007, a Samsung anunciou a produção em massa de SDRAM GDDR4 de 32 bits e 512 Mbits, avaliada em 2,8 Gbit/s por pino ou 11,2 GB/s por módulo. Este módulo foi usado para algumas placas AMD.[6]
  • Em 23 de fevereiro de 2007, a Samsung anunciou SDRAM GDDR4 de 32 bits e 512 Mbits avaliada em 4,0 Gbit/s por pino ou 16 GB/s para o módulo e espera que a memória apareça em placas gráficas disponíveis comercialmente até o final do ano de 2007.[7]

Tecnologias

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GDDR4 SDRAM introduziu DBI (Data Bus Inversion) e Multi-Preamble para reduzir o atraso na transmissão de dados. A pré-busca foi aumentada de 4 para 8 bits. O número máximo de bancos de memória para GDDR4 foi aumentado para 8. Para atingir a mesma largura de banda da SDRAM GDDR3, o núcleo GDDR4 funciona com metade do desempenho de um núcleo GDDR3 com a mesma largura de banda bruta. A tensão do núcleo foi reduzida para 1,5 V.

A inversão do barramento de dados adiciona um pino DBI# ativo-baixo adicional ao barramento de endereço/comando e a cada byte de dados. Se houver mais de quatro bits 0 no byte de dados, o byte é invertido e o sinal DBI# é transmitido em nível baixo. Desta forma, o número de bits 0 em todos os nove pinos é limitado a quatro.[8]:9 Isso reduz o consumo de energia e o ground bounce.

Na frente de sinalização, o GDDR4 expande o buffer de E/S do chip para 8 bits por dois ciclos, permitindo maior largura de banda sustentada durante a transmissão em rajada, mas às custas de um aumento significativo da latência CAS (CL), determinada principalmente pela contagem duplamente reduzida de os pinos de endereço/comando e células DRAM de meia freqüência, em comparação com GDDR3. O número de pinos de endereçamento foi reduzido à metade do núcleo GDDR3 e foram usados ​​para alimentação e aterramento, o que também aumenta a latência. Outra vantagem do GDDR4 é a eficiência energética: rodando a 2,4 Gbit/s, ele usa 45% menos energia quando comparado aos chips GDDR3 rodando a 2,0 Gbit/s.

Na folha de dados GDDR4 SDRAM da Samsung, ele era referido como 'GDDR4 SGRAM' ou 'Graphics Double Data Rate versão 4 Synchronous Graphics RAM'. No entanto, o recurso essencial de gravação em bloco não está disponível, portanto não é classificado como SGRAM.

Adoção

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O fabricante de memória de vídeo Qimonda (anteriormente divisão de produtos de memória da Infineon) afirmou que "pulará" o desenvolvimento do GDDR4 e passará diretamente para o GDDR5.[9]

Referências

  1. «Standards & Documents Search: sgram». www.jedec.org. Consultado em 7 de abril de 2024 
  2. «Standards & Documents Search: gddr4». www.jedec.org. Consultado em 7 de abril de 2024 
  3. «Samsung Electronics Develops Industry's First Ultra-Fast GDDR4 Graphics DRAM». Samsung Semiconductor. Samsung. 26 de outubro de 2005. Consultado em 7 de abril de 2024. Cópia arquivada em 8 de julho de 2019 
  4. «History: 2000s». SK Hynix. Consultado em 7 de abril de 2024. Cópia arquivada em 6 de julho de 2019 
  5. Samsung sends GDDR4 graphics memory into mass production
  6. «Samsung releases fastest GDDR-4 SGRAM». The Inquirer. Arquivado do original em 12 de fevereiro de 2007 
  7. Samsung accelerates graphics memory to 2000 MHz
  8. Choi, J.S. (2011). DDR4 Mini Workshop (PDF). Server Memory Forum 2011  This presentation is about DDR4 rather than GDDR4, but both use data bus inversion.
  9. Softpedia report

Ligações externas

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