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Silício flexível

O silício flexível se refere a uma peça flexível de silício monocristalino. Vários processos foram demonstrados na literatura para a obtenção de silício flexível a partir de pastilhas de silício de cristal único (antes ou após a fabricação de circuitos CMOS).[1][2] O silício flexível é resistente ao calor até 260 °C.[3]

Processos

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A abordagem de liberação de proteção do etch[4] e o etch traseiro são alguns exemplos de como isso pode ser alcançado.[5][6] Essas técnicas têm sido amplamente utilizadas para demonstrar versões flexíveis de dispositivos compatíveis com CMOS de alto desempenho tradicionais, incluindo transistores de efeito de campo de barbatana 3D (finFETs),[7][8][9] semicondutor de óxido metálico/capacitores isolantes de metal (MOSCAPs e MIMCAPs),[10][11][12][13] capacitores ferroelétricos e dispositivos resistivos,[14][15][16][17] e geradores termoelétricos (TEGs).[18][19]

Referências

  1. ↑ Hussain, Aftab M.; Hussain, Muhammad M. (junho de 2016). «CMOS-Technology-Enabled Flexible and Stretchable Electronics for Internet of Everything Applications». Advanced Materials (em inglês) (22): 4219–4249. doi:10.1002/adma.201504236. Consultado em 30 de agosto de 2020 
  2. ↑ Vix, Bill (23 de junho de 2019). «The Future is Bright for Flexible Electronics». Money Inc (em inglês). Consultado em 30 de agosto de 2020 
  3. ↑ «Heat Resistant Cloth and Fabrics for High Heat MRO Applications». Auburn Manufacturing, Inc. (em inglês). Consultado em 30 de agosto de 2020 
  4. ↑ DeGarmo, E. Paul (Ernest Paul), 1907-2000. (2003). Materials and processes in manufacturing 9th ed ed. New York: Wiley. OCLC 50582621 
  5. ↑ Yang, Jiye; Wu, Tao (3 de abril de 2019). «Silicon-Based Micromachining Process for Flexible Electronics». Micromachining (em inglês). doi:10.5772/intechopen.83347. Consultado em 30 de agosto de 2020 
  6. ↑ Carola Strandman; Ylva Bäcklund (março de 1998). «Passive and fixed alignment of devices using flexible silicon elements formed by selective etching». Journal of Micromechanics and Microengineering (em inglês) (1). ISSN 0960-1317. doi:10.1088/0960-1317/8/1/007/meta. Consultado em 30 de agosto de 2020 
  7. ↑ Torres Sevilla, Galo A.; Ghoneim, Mohamed T.; Fahad, Hossain; Rojas, Jhonathan P.; Hussain, Aftab M.; Hussain, Muhammad Mustafa (28 de outubro de 2014). «Flexible Nanoscale High-Performance FinFETs». ACS Nano (em inglês) (10): 9850–9856. ISSN 1936-0851. doi:10.1021/nn5041608. Consultado em 30 de agosto de 2020 
  8. ↑ Fahad, Hossain; Sevilla, Galo Torres; Ghoneim, Mohamed; Hussain, Muhammad M. (junho de 2014). «High performance flexible CMOS SOI FinFETs». IEEE. ISBN 978-1-4799-5406-3. doi:10.1109/drc.2014.6872382. Consultado em 30 de agosto de 2020 
  9. ↑ Ghoneim, Mohamed T.; Alfaraj, Nasir; Torres-Sevilla, Galo A.; Fahad, Hossain M.; Hussain, Muhammad M. (julho de 2016). «Out-of-Plane Strain Effects on Physically Flexible FinFET CMOS». IEEE Transactions on Electron Devices (7): 2657–2664. ISSN 1557-9646. doi:10.1109/TED.2016.2561239. Consultado em 30 de agosto de 2020 
  10. ↑ Rojas, Jhonathan Prieto; Ghoneim, Mohamed Tarek; Young, Chadwin D.; Hussain, Muhammad Mustafa (outubro de 2013). «Flexible High-$\kappa$/Metal Gate Metal/Insulator/Metal Capacitors on Silicon (100) Fabric». IEEE Transactions on Electron Devices (10): 3305–3309. ISSN 0018-9383. doi:10.1109/TED.2013.2278186. Consultado em 30 de agosto de 2020 
  11. ↑ Ghoneim, Mohamed T.; Rojas, Jhonathan P.; Young, Chadwin D.; Bersuker, Gennadi; Hussain, Muhammad M. (junho de 2015). «Electrical Analysis of High Dielectric Constant Insulator and Metal Gate Metal Oxide Semiconductor Capacitors on Flexible Bulk Mono-Crystalline Silicon». IEEE Transactions on Reliability (2): 579–585. ISSN 1558-1721. doi:10.1109/TR.2014.2371054. Consultado em 30 de agosto de 2020 
  12. ↑ Ghoneim, Mohamed (30 de maio de 2017). «Additive advantage in characteristics of MIMCAPs on flexible silicon (100) fabric with release‐first process» (em inglês). doi:10.6084/m9.figshare.5048404.v1. Consultado em 30 de agosto de 2020 
  13. ↑ Ghoneim, Mohamed T.; Zidan, Mohammed A.; Alnassar, Mohammed Y.; Hanna, Amir N.; Kosel, Jurgen; Salama, Khaled N.; Hussain, Muhammad M. (junho de 2015). «Flexible Electronics: Thin PZT-Based Ferroelectric Capacitors on Flexible Silicon for Nonvolatile Memory Applications (Adv. Electron. Mater. 6/2015)». Advanced Electronic Materials (6): n/a–n/a. ISSN 2199-160X. doi:10.1002/aelm.201570017. Consultado em 30 de agosto de 2020 
  14. ↑ Ghoneim, Mohamed T.; Hussain, Muhammad M. (23 julho de 2015). «Review on physically flexible nonvolatile memory for internet of everything electronics». Electronics. 4 (3): 424–479. arXiv:1606.08404 . doi:10.3390/electronics4030424 
  15. ↑ Ghoneim, Mohamed T.; Hussain, Muhammad M. (3 de agosto de 2015). «Study of harsh environment operation of flexible ferroelectric memory integrated with PZT and silicon fabric». Applied Physics Letters. 107 (5). 052904 páginas. doi:10.1063/1.4927913. hdl:10754/565819  
  16. ↑ Ghoneim, Mohamed T.; Zidan, Mohammed A.; Alnassar, Mohammed Y.; Hanna, Amir N.; Kosel, Jurgen; Salama, Khaled N.; Hussain, Muhammad (15 de junho de 2015). «Flexible Electronics: Thin PZT-Based Ferroelectric Capacitors on Flexible Silicon for Nonvolatile Memory Applications». Advanced Electronic Materials. 1 (6). 1500045 páginas. doi:10.1002/aelm.201500045 
  17. ↑ Ghoneim, Mohamed T; Zidan, Mohammed A; Salama, Khaled N; Hussain, Muhammad M (30 de novembro de 2014). «Towards neuromorphic electronics: Memristors on foldable silicon fabric». Microelectronics Journal. 45 (11): 1392–1395. doi:10.1016/j.mejo.2014.07.011 
  18. ↑ Torres Sevilla, Galo; Bin Inayat, Salman; Rojas, Jhonathan; Hussain, Aftab; Hussain, Muhammad (9 de dezembro de 2013). «Flexible and Semi‐Transparent Thermoelectric Energy Harvesters from Low Cost Bulk Silicon (100)». Small. 9 (23): 3916–3921. PMID 23836675. doi:10.1002/smll.201301025 
  19. ↑ «Flexible thermoelectric generator from bulk silicon». Nanowerk. Consultado em 30 de agosto de 2020 
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