Fabricação
de dispositivos
semicondutores

4-fach-NAND-C10.JPG

O processo de 1 μm se refere ao nível de tecnologia de processo de semicondutor MOSFET que foi comercializado por volta do período de 1984 a 1986,[1] por empresas líderes de semicondutores como NTT, NEC, Intel e IBM. Foi o primeiro processo em que o CMOS era comum (em oposição ao NMOS).[2]

O primeiro MOSFET com um comprimento de canal NMOS de 1 μm foi fabricado por uma equipe de pesquisa liderada por Robert H. Dennard, Hwa-Nien Yu e F.H. Gaensslen no IBM T.J. Watson Research Center em 1974.[3]

Referências

  1. «Microprocessors from 1971 to the Present | Microprocessor Types and Specifications | InformIT». www.informit.com. Consultado em 12 de dezembro de 2021 
  2. «Happy 40th birthday, Intel 4004! • The Register». www.theregister.com. Consultado em 12 de dezembro de 2021 
  3. Yu, Hwa-Nien; Gaensslen, F. H.; Rideout, V. L.; Bassous, E.; LeBlanc, A. R., Dennard, Robert H. (1974). «"Design of ion-implanted MOSFET's with very small physical dimensions"» (PDF). Auburn University 


Precedido por:
1,5 µm
processos de fabricação CMOS Sucedido por:
800 nm